时间：2025/8/5 22:53:29
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IXCY10M90S-TRL 是由 Littelfuse（原IXYS公司）生产的一款高性能碳化硅（SiC）MOSFET功率晶体管，适用于高效率、高频开关应用。该器件具有优异的导通和开关性能，能够显著提升电源系统的整体效率。IXCY10M90S-TRL 采用先进的碳化硅技术，能够在高温、高电压和高频率环境下稳定工作，适用于诸如电动汽车充电系统、工业电源、太阳能逆变器和储能系统等要求苛刻的场合。该器件采用TO-252（DPAK）封装形式，便于散热和安装。
类型：碳化硅MOSFET（SiC MOSFET）
漏源电压（VDS）：900V
漏极电流（ID）：10A（在25°C）
导通电阻（RDS(on)）：260mΩ（最大值）
栅极电压范围：-10V至+20V
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：TO-252（DPAK）
功率耗散（PD）：333W（在TC=25°C）
封装热阻（RthJC）：0.3°C/W
短路耐受能力：典型值6μs（@VDS=800V）
IXCY10M90S-TRL 采用先进的碳化硅（SiC）材料和制造工艺，具备卓越的电气性能和可靠性。其主要特性包括：
1. 高电压和高电流能力：IXCY10M90S-TRL 支持高达900V的漏源电压和10A的连续漏极电流，适用于高功率密度的设计。
2. 低导通电阻：最大RDS(on)为260mΩ，显著降低导通损耗，提高系统效率。
3. 快速开关性能：由于碳化硅材料的特性，该MOSFET具有极低的开关损耗，支持高频工作，适用于高效率的DC-DC转换器和AC-DC电源系统。
4. 优异的热性能：TO-252封装提供了良好的散热能力，热阻RthJC为0.3°C/W，有助于在高功率应用中保持较低的结温，延长器件寿命。
5. 宽工作温度范围：支持从-55°C至+150°C的工作温度，适用于严苛的工业和汽车环境。
6. 抗短路能力强：该器件具备良好的短路耐受能力，典型值可达6μs（在VDS=800V条件下），增强了系统在异常工况下的稳定性。
7. 高可靠性：IXYS的SiC MOSFET技术经过严格测试和验证，确保在长时间高负荷运行下的稳定性和可靠性，适合用于电动汽车充电器、太阳能逆变器和储能系统等关键应用。
这些特性使得IXCY10M90S-TRL 成为高效率、高可靠性和高功率密度设计的理想选择。
IXCY10M90S-TRL 凭借其高性能和高可靠性，广泛应用于多个高功率和高效率要求的领域。主要应用包括：
1. 电动汽车充电系统：用于车载充电器（OBC）和直流快充模块，提高充电效率并减小系统体积。
2. 工业电源和UPS系统：适用于不间断电源（UPS）、工业电源转换器以及高频开关电源，提升整体能效和系统稳定性。
3. 太阳能逆变器：在光伏逆变器中作为主开关器件，支持更高的转换效率和更高的工作频率，减小滤波器尺寸。
4. 储能系统：用于电池管理系统（BMS）和储能逆变器，支持高效的能量转换和管理。
5. DC-DC转换器：适用于高功率密度的隔离和非隔离型DC-DC转换器，特别是在电动汽车和通信电源中。
6. 电机驱动和变频器：用于高效电机控制和变频器设计，支持更高的开关频率和更低的导通损耗。
7. 高频电源和射频电源：在射频电源和高频感应加热系统中提供高效能解决方案。
由于其优异的电气性能和热管理能力，IXCY10M90S-TRL 成为现代高效电力电子系统中不可或缺的关键器件。
IXTY10N90C3S-TRL, SCT3040KL, C3M0016120K, SiC MOSFET 10A 900V
