型号：IXCP10M90S
　　制造商：Littelfuse
　　器件类型：碳化硅肖特基二极管
　　最大重复反向电压（VRRM）：900V
　　平均正向整流电流（IF(AV)）：10A
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：75A（单半波，60Hz）
　　最大正向电压降（VF）：1.7V（在10A, TJ=25°C）
　　最大反向漏电流（IR）：200μA（在25°C），10mA（在150°C）
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +175°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：TO-252 (D-Pak)
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　反向恢复时间（trr）：典型值0ns（无反向恢复电荷）
　　热阻（RθJC）：约2.5°C/W

IXCP10M90S作为一款基于碳化硅材料的肖特基二极管，具备多项卓越的电气和热性能特点。首先，其最大的优势在于零反向恢复电荷（Qrr ≈ 0）和几乎可以忽略的反向恢复时间（trr），这使得该器件在高频开关应用中不会产生额外的开关损耗，也不会引起电压振铃或电磁干扰问题，从而显著提升了系统的能效和稳定性。其次，该二极管拥有高达900V的反向耐压能力，同时保持较低的正向导通压降（典型值1.7V @ 10A），实现了高电压与低损耗之间的良好平衡，特别适用于升压PFC电路和DC-DC转换器中的续流或整流环节。
　　另一个关键特性是其宽泛的工作结温范围（-55°C 至 +175°C），表明该器件能够在极端温度环境下稳定运行，适用于工业级和汽车级应用场景。碳化硅材料本身具有优异的热导率和击穿电场强度，使得IXCP10M90S在高温下仍能保持较低的反向漏电流和稳定的电气参数。尽管在150°C时反向漏电流可达10mA，但这一数值仍在可接受范围内，并可通过合理的PCB布局和散热设计加以控制。
　　此外，TO-252（D-Pak）封装不仅支持表面贴装工艺，提高生产自动化程度，还具备较低的热阻（约2.5°C/W），有助于将芯片产生的热量高效传导至PCB，提升整体热管理效率。该封装形式在功率密度和散热性能之间提供了良好折衷，适合紧凑型高功率设计。器件还具备高浪涌电流承受能力（75A），增强了对瞬态过载的耐受性，提升了系统鲁棒性。由于其无掺杂p-n结的肖特基结构，避免了少数载流子存储效应，从根本上消除了传统硅二极管的反向恢复问题，进一步优化了动态性能。

IXCP10M90S广泛应用于各类高效率、高频率的电力电子系统中。其主要应用场景包括功率因数校正（PFC）电路，特别是在连续导通模式（CCM）升压PFC中，作为输出整流二极管使用，可显著降低开关损耗并提高系统效率。在太阳能光伏逆变器中，该器件用于直流侧的防反二极管或MPPT电路中的整流元件，得益于其高温稳定性和低损耗特性，有助于提升发电效率和系统可靠性。在电动汽车充电设备（如车载充电机OBC和直流充电桩）中，IXCP10M90S可用于高压直流链路的整流和保护电路，满足高可靠性和长寿命的要求。
　　此外，该二极管也适用于工业开关电源（SMPS）、服务器电源单元（PSU）、电信电源系统等高密度电源模块，帮助实现小型化和高效化设计。在电机驱动和UPS不间断电源系统中，可作为续流二极管或钳位二极管使用，利用其快速响应特性减少换流过程中的能量损耗。由于其表面贴装封装形式，特别适合需要自动化组装和回流焊工艺的现代制造流程。在高温或恶劣环境下的工业控制系统中，IXCP10M90S也能提供稳定可靠的性能表现，是替代传统硅快恢复二极管的理想选择。

IXTH10N90C3
　　IXYS10M90S
　　CSD10060A