时间：2025/8/6 12:15:59
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IXCP10M35S 是由 IXYS 公司生产的一款高性能碳化硅（SiC）MOSFET 模块，适用于高效率、高频率的功率转换应用。该模块采用了先进的碳化硅技术，具备低导通损耗和开关损耗，适用于电动汽车（EV）、可再生能源系统、工业电源以及高频率DC-DC转换器等场景。IXCP10M35S 采用双列直插式封装（SiC Dual in-line Package, SiC DIP），便于安装和散热管理。
类型：碳化硅（SiC）MOSFET模块
最大漏极电流（Id）：10A
最大漏源电压（Vds）：350V
导通电阻（Rds(on)）：80mΩ
栅极电压范围：-5V 至 +20V
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：DIP（双列直插式）
功率耗散（Ptot）：150W
短路耐受能力：600A（10μs）
IXCP10M35S 的核心优势在于其基于碳化硅材料的MOSFET器件，相较于传统的硅基MOSFET，具备更低的导通压降和更高的开关频率能力，从而显著提升系统的整体效率。
该模块具备出色的热性能，采用优化的封装设计，使得热量能够高效地从芯片传导至散热器，支持在高功率密度环境下稳定运行。
此外，IXCP10M35S 具有优异的短路耐受能力，能够在极端条件下提供更高的安全裕量，适用于对可靠性要求极高的工业和汽车应用。
其栅极驱动电压范围较宽（-5V 至 +20V），便于与多种驱动电路兼容，同时也增强了器件的稳定性和抗干扰能力。
由于采用了SiC DIP封装技术，IXCP10M35S 模块具有良好的机械稳定性和便于安装的特点，适用于需要长期稳定运行的系统。
IXCP10M35S 广泛应用于高效率电源转换系统，包括但不限于：电动汽车的车载充电器（OBC）、DC-DC转换器、光伏逆变器、储能系统、工业电源、UPS不间断电源以及高频率开关电源等场景。
由于其出色的热性能和短路保护能力，也适用于对可靠性和稳定性要求极高的工业自动化设备和电动汽车动力系统。
在新能源领域，该模块可用于提升太阳能逆变器和风能变流器的能量转换效率，满足日益增长的绿色能源需求。
SiC MOSFET模块的替代型号包括：Cree/Wolfspeed 的 C3M0060065J、Infineon 的 IMZA65R048M1H、ROHM 的 BSM016D12P2C004、STMicroelectronics 的 SCT3045KL 和 ON Semiconductor 的 NTHL060N120SC1。
