IXCP01N90E 是一款由 IXYS 公司生产的高电压、高功率的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件设计用于需要高效率和高可靠性的功率转换应用,例如电源供应器、逆变器、马达控制以及工业自动化设备。IXCP01N90E 具有低导通电阻(RDS(on))和高耐压能力,能够承受高达 900V 的漏源电压(VDS),使其非常适合在高压电路中使用。
类型:功率 MOSFET
通道类型:N 沟道
漏源电压 VDS:900V
栅源电压 VGS:±30V
连续漏极电流 ID:1A(Tc=25℃)
功耗 PD:40W
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
导通电阻 RDS(on):最大 1.2Ω @ VGS = 10V
封装形式:TO-220
IXCP01N90E 的核心特性之一是其高耐压能力,漏源电压可高达 900V,这使其能够在高压环境下稳定工作。该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术,从而实现了较低的导通电阻(RDS(on)),有助于降低导通损耗并提高系统效率。
此外,IXCP01N90E 的栅极驱动电压范围较宽,支持高达 ±30V 的栅源电压,提高了其在不同控制电路中的兼容性。同时,该 MOSFET 在高温环境下仍能保持良好的性能,工作温度范围为 -55℃ 至 +150℃,适用于各种恶劣的工业环境。
其 TO-220 封装形式具有良好的热管理和机械稳定性,便于安装在散热器上以提高散热效果。该封装也有助于防止短路和过热导致的损坏,提高了器件的可靠性和寿命。
IXCP01N90E 还具备快速开关特性,降低了开关损耗,使其适用于高频开关应用。这对于电源转换器和逆变器等应用来说尤为重要,能够提升整体系统的能效和响应速度。
IXCP01N90E 常用于高压功率转换系统中,如开关电源(SMPS)、直流-直流转换器、逆变器和马达控制电路。在这些应用中,该器件能够提供高效的电能转换,同时保持较低的功率损耗。
在工业自动化领域,IXCP01N90E 可作为高侧或低侧开关使用,用于控制大功率负载,如加热元件、电磁阀和直流马达。其高耐压能力和良好的热稳定性使其适用于严苛的工作环境。
此外,该器件也适用于不间断电源(UPS)系统和太阳能逆变器中,作为关键的功率开关元件。在这些绿色能源应用中,IXCP01N90E 的高效性能有助于提升系统的整体能量利用率。
由于其具备良好的抗冲击能力和过载容忍度,IXCP01N90E 也常被用于电力电子设备的保护电路中,例如过流保护和短路保护电路。
IXFH01N90E, IXTP01N90E