时间：2025/8/6 0:52:36
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IXBT42N300HV是一款由Infineon Technologies生产的高电压N沟道功率MOSFET，专为高功率密度和高效率应用设计。该器件具有较低的导通电阻和优异的热性能，适用于电源转换、电机控制、UPS系统以及工业自动化设备等领域。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流：42A
最大漏源电压：300V
导通电阻（Rds(on)）：0.125Ω
栅极电荷：82nC
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-247
IXBT42N300HV具备低导通电阻，从而降低了导通损耗，提高了系统效率。
该MOSFET采用先进的技术，具有出色的开关性能，适合高频操作。
其高耐压能力使其能够在严苛的电气环境中稳定工作。
优化的封装设计提高了散热性能，从而增强了器件的可靠性和寿命。
该器件符合RoHS标准，适用于环保要求较高的应用。
内置快速恢复二极管，提高了在高di/dt条件下的稳定性。
IXBT42N300HV广泛应用于各种高功率电子系统中，包括交流/直流电源转换器、不间断电源（UPS）、电机驱动器、变频器、工业自动化设备以及电动车充电系统等。
由于其高耐压和高电流能力，该器件特别适用于需要高效率和高可靠性的电源管理应用。
在太阳能逆变器和储能系统中，IXBT42N300HV也常用于功率转换和调节电路中。
其快速开关特性使其成为高频电源设计中的理想选择。
STP42NM30ND, IRFPG50, FDP42N30
