时间：2025/8/6 7:36:47
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IXBT24N170是一款由Infineon Technologies（英飞凌科技）制造的高性能功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高电压、高电流的电力电子应用中。该器件采用先进的沟槽式技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高开关速度，适用于需要高效率和可靠性的工业和汽车应用。IXBT24N170封装形式为TO-247，便于散热和安装，是一款广泛应用于逆变器、电源转换器和电机驱动器的功率器件。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极-源极电压(Vds)：1700V
最大漏极电流(Id)：24A
最大导通电阻(Rds(on))：0.27Ω
最大栅极-源极电压(Vgs)：±20V
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：TO-247
最大漏极-源极击穿电压：1700V
最大耗散功率(Pd)：175W
IXBT24N170功率MOSFET具备一系列先进的电气和热性能，能够满足高要求的工业和汽车应用需求。首先，该器件的最大漏极-源极电压(Vds)高达1700V，使其能够承受高压环境下的工作条件，适用于高电压电源转换和逆变器系统。其次，最大漏极电流为24A，表明其在高电流应用中具有良好的承载能力，适用于电机驱动和功率因数校正电路。
该MOSFET的导通电阻（Rds(on)）仅为0.27Ω，有效降低了导通损耗，提高了整体系统的效率。此外，其最大栅极-源极电压为±20V，确保了在各种驱动条件下器件的安全工作范围。IXBT24N170采用了先进的沟槽式结构，提升了导通性能和开关速度，同时降低了开关损耗，使其适用于高频开关应用。
该器件的封装形式为TO-247，具有良好的散热性能，有助于提高器件的可靠性和寿命。工作温度范围从-55°C到+150°C，适合在各种恶劣环境中使用，包括工业控制和汽车电子系统。最大耗散功率为175W，进一步保证了在高功率应用中的稳定运行。
IXBT24N170广泛应用于各种高功率和高电压的电子系统中，包括但不限于以下领域：工业电源系统、电机驱动器、逆变器、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电动汽车充电设备、电焊机以及功率因数校正（PFC）电路等。在工业自动化和控制系统中，该MOSFET可以作为高效率的功率开关，实现精确的电机控制和电源管理。在可再生能源领域，如太阳能逆变器和风能转换系统中，IXBT24N170能够提供高效、稳定的功率转换能力，提高整体系统的能效。此外，在电动汽车充电设备中，该器件的高耐压和高电流能力使其成为理想的功率开关选择。
IXFH24N170P, IXGT24N170T2, IXKN24N170
