时间：2025/8/6 7:12:45
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IXBT16N170A 是由 IXYS 公司生产的一款高电压、高功率 N 沟道双极性晶体管（MOSFET），主要用于高电压和高功率应用，例如电源转换器、逆变器以及电机控制电路。该器件采用了先进的硅技术，具有优异的导通和开关性能，能够在高电压下保持稳定的工作状态。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏极电压（VDSS）：1700 V
最大漏极电流（ID）：16 A
导通电阻（RDS(on)）：约 2.5 Ω（典型值）
封装类型：TO-247
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
栅极阈值电压（VGS(th)）：约 4.5 V 至 6.5 V
最大耗散功率（PD）：约 200 W
短路耐受能力：具备一定的短路耐受能力
IXBT16N170A 的主要特性之一是其高电压能力，能够在 1700 V 的漏极电压下稳定工作，适用于高电压电源系统。此外，该 MOSFET 具有较低的导通电阻，使得在导通状态下功耗较低，提高了整体系统的效率。该器件的封装形式为 TO-247，便于散热和安装，适用于高功率应用场景。
其栅极阈值电压在 4.5 V 至 6.5 V 之间，确保了稳定的开关控制，同时兼容常见的驱动电路。该 MOSFET 还具有良好的热稳定性，能够在高温环境下工作，适应各种严苛的应用条件。此外，IXBT16N170A 设计有短路保护能力，能够在短时间内承受短路电流，提高系统的可靠性。
IXBT16N170A 常用于高电压和高功率电子系统中，例如工业电源、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电机驱动器和焊接设备等。其高电压和高电流能力使其成为高压直流电源转换器和高功率开关电源中的理想选择。此外，该器件也可用于电机控制和工业自动化系统，提供高效的开关性能和稳定的运行。
IXBT12N170A, IXBT20N170A
