IXBT16N170 时间：2025/8/5 22:58:36 阅读：18

IXBT16N170是一款高压高电流的功率MOSFET晶体管，广泛应用于高功率和高频的开关电源、逆变器以及马达控制等电力电子领域。这款MOSFET采用了先进的沟槽式栅极技术，具有较低的导通电阻（Rds(on)）和出色的开关性能，从而减少了开关损耗并提高了系统的整体效率。其封装形式为TO-247，具备良好的散热性能，能够承受较大的电流和较高的工作温度。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏极-源极电压（Vds）：1700V
　　栅极-源极电压（Vgs）：±20V
　　最大漏极电流（Id）：16A（连续）
　　导通电阻（Rds(on)）：1.5Ω（最大）
　　功率耗散（Ptot）：150W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：TO-247

特性

IXBT16N170具有多个显著的电气和机械特性。首先，其高耐压能力（1700V Vds）使其能够应用于高压系统中，如高压电源转换器和工业电机驱动器。其次，低导通电阻（Rds(on)）减少了导通损耗，提高了能量转换效率。
　　此外，该器件采用了先进的封装技术，提供了良好的热管理性能，确保在高负载条件下也能稳定运行。TO-247封装不仅便于安装和散热，还具备较高的机械强度和可靠性。
　　该MOSFET具备快速开关特性，能够在高频条件下工作，减少开关损耗并提高系统的响应速度。此外，其内置的栅极保护二极管可以有效防止静电放电（ESD）损坏，增强了器件的耐用性和稳定性。
　　IXBT16N170还具备良好的短路耐受能力，在异常工作条件下仍能保持一定的安全运行时间，有助于提高系统的可靠性和安全性。

应用

IXBT16N170主要应用于需要高压和高效率的电力电子系统中。典型的应用包括开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电动汽车充电器、电机驱动器以及工业自动化设备中的功率控制模块。由于其高频开关能力和低导通损耗，该器件在高频变换器和DC-DC转换器中表现出色，能够有效提高系统效率并减少发热问题。