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IXBN75N170 发布时间 时间:2025/8/6 6:56:25 查看 阅读:24

IXBN75N170是一种高功率双极型晶体管(IGBT),由IXYS公司制造。它主要用于高电压和高电流的应用,如工业电机控制、电源系统和可再生能源系统。IXBN75N170具有优异的热性能和高可靠性,适用于苛刻的工作环境。这种IGBT的封装形式通常为模块式封装,以提高其散热效率。

参数

集电极-发射极电压(Vce):1700V
  集电极电流(Ic):75A
  工作温度范围:-40°C至150°C
  短路耐受能力:典型值为10μs
  最大结温(Tj):150°C
  封装类型:模块式封装

特性

IXBN75N170 IGBT的主要特性包括高电压和高电流处理能力,这使其能够在高功率应用中表现出色。该器件采用了先进的沟槽栅和场阻断技术,以实现低导通压降和低开关损耗。此外,IXBN75N170具有良好的短路耐受能力,能够承受瞬时过载条件,从而提高了系统的可靠性和稳定性。其模块式封装设计不仅有助于提高散热效率,还能简化在复杂电子系统中的安装和使用。该器件还具有优异的热稳定性和抗热疲劳能力,能够在高温环境下长时间工作而不发生性能退化。

应用

IXBN75N170广泛应用于需要高功率密度和高可靠性的电子系统中。典型的应用包括工业电机驱动、变频器、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器以及电动汽车充电设备。此外,该器件也常用于电力传输和分配系统中的功率调节和控制。由于其优异的电气和热性能,IXBN75N170也适用于需要频繁开关和高负载能力的场合。

替代型号

IXGN75N170, IXGN75N120C2, IXBN75N120, IXBN90N120

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IXBN75N170参数

  • 标准包装10
  • 类别半导体模块
  • 家庭IGBT
  • 系列BIMOSFET™
  • IGBT 类型-
  • 配置单一
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)1700V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)3.1V @ 15V,75A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)145A
  • 电流 - 集电极截止(最大)25µA
  • Vce 时的输入电容 (Cies)6.93nF @ 25V
  • 功率 - 最大625W
  • 输入标准型
  • NTC 热敏电阻
  • 安装类型底座安装
  • 封装/外壳SOT-227-4,miniBLOC
  • 供应商设备封装SOT-227B