IXBN42N170A
时间:2023/3/7 15:28:04
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制造商: IXYS
封装 / 箱体: SOT-227B
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1700 V
概述
制造商: IXYS
封装 / 箱体: SOT-227B
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1700 V
栅极/发射极最大电压: +/- 20 V
集电极最大连续电流 Ic: 42 A
封装: Tube
配置: Single
最大工作温度: + 150 C
最小工作温度: - 55 C
安装风格: Screw
IXBN42N170A参数
- 标准包装10
- 类别半导体模块
- 家庭IGBT
- 系列BIMOSFET™
- IGBT 类型-
- 配置单一
- 电压 - 集电极发射极击穿(最大)1700V
- Vge, Ic时的最大Vce(开)6V @ 15V,21A
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大)42A
- 电流 - 集电极截止(最大)50µA
- Vce 时的输入电容 (Cies)3.5nF @ 25V
- 功率 - 最大312W
- 输入标准型
- NTC 热敏电阻无
- 安装类型底座安装
- 封装/外壳SOT-227-4,miniBLOC
- 供应商设备封装SOT-227B