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IXBN42N170A 发布时间 时间:2023/3/7 15:28:04 查看 阅读:662

    制造商: IXYS

    封装 / 箱体: SOT-227B

    集电极—发射极最大电压 VCEO: 1700 V

    

目录

概述

    制造商: IXYS

    封装 / 箱体: SOT-227B

    集电极—发射极最大电压 VCEO: 1700 V

    栅极/发射极最大电压: +/- 20 V

    集电极最大连续电流 Ic: 42 A

    封装: Tube

    配置: Single

    最大工作温度: + 150 C

    最小工作温度: - 55 C

    安装风格: Screw


资料

厂商
IXYS

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IXBN42N170A参数

  • 标准包装10
  • 类别半导体模块
  • 家庭IGBT
  • 系列BIMOSFET™
  • IGBT 类型-
  • 配置单一
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)1700V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)6V @ 15V,21A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)42A
  • 电流 - 集电极截止(最大)50µA
  • Vce 时的输入电容 (Cies)3.5nF @ 25V
  • 功率 - 最大312W
  • 输入标准型
  • NTC 热敏电阻
  • 安装类型底座安装
  • 封装/外壳SOT-227-4,miniBLOC
  • 供应商设备封装SOT-227B