时间：2025/8/5 18:21:36
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IXBN42N170是一款由IXYS公司生产的高功率N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），设计用于高电压和高电流的应用场景。该器件具有优异的导通性能和快速开关特性，适用于工业电机控制、电源转换、UPS系统、逆变器以及太阳能逆变器等高功率电子系统。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：1700V
漏极电流(Id)：42A（在25°C时）
导通电阻(Rds(on))：典型值为0.17Ω
栅极电压(Vgs)：±20V
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：TO-247AC
功率耗散(Pd)：300W
IXBN42N170具备多项优异的电气特性和物理特性。首先，其高耐压能力（1700V）使其能够在高压系统中稳定运行，而42A的漏极电流能力则确保其能够处理大电流应用。其次，低导通电阻（0.17Ω）有效降低了导通损耗，提高了整体系统效率。此外，该MOSFET采用TO-247AC封装，具备良好的热管理和机械稳定性，适用于高可靠性和高散热要求的环境。该器件还具有快速开关能力，减少了开关损耗，提高了动态响应性能。IXBN42N170的栅极设计允许在±20V范围内操作，提供了灵活的驱动能力，并具备较强的抗干扰能力。最后，其宽广的工作温度范围（-55°C至+150°C）使其在极端环境条件下仍能保持稳定工作。
IXBN42N170广泛应用于高功率和高电压的电子系统中。常见应用包括工业电机驱动器、不间断电源（UPS）、逆变器、功率因数校正（PFC）电路、太阳能逆变器、电动汽车充电系统以及各类高功率开关电源。由于其优异的导通和开关性能，该器件也常用于需要高频操作和高效率的电源管理系统。
IXFN42N170, IXFN44N170
