时间：2025/8/6 0:15:50
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IXBL60N360 是一款由 IXYS 公司设计和生产的高压 N 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高功率开关应用而设计，适用于工业控制、电源管理和电机驱动等领域。IXBL60N360 采用了先进的制造工艺，能够在高电压和大电流条件下保持良好的稳定性和可靠性。其主要特点包括高击穿电压、低导通电阻以及快速开关性能，使其成为高性能功率转换系统的理想选择。
类型：N 沟道 MOSFET
漏极-源极电压（Vds）：360V
连续漏极电流（Id）：60A（Tc=25℃）
导通电阻（Rds(on)）：典型值 0.135Ω（最大值 0.185Ω）
栅极阈值电压（Vgs(th)）：2.1V ~ 4.0V
工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
封装形式：TO-247AC
IXBL60N360 MOSFET 的核心特性在于其高电压耐受能力和优异的导通性能。该器件的漏极-源极击穿电压高达 360V，能够承受较高的电压应力，适用于中高功率应用环境。其导通电阻 Rds(on) 仅为 0.135Ω（典型值），在大电流工作条件下可有效降低导通损耗，提高系统整体效率。此外，该器件具有快速的开关速度，能够实现高效的高频开关操作，减少开关损耗并提高系统响应速度。
该 MOSFET 采用先进的平面工艺制造，确保了器件在极端工作条件下的可靠性。其封装形式为 TO-247AC，具备良好的散热性能，适用于高功率密度设计。IXBL60N360 的栅极阈值电压范围为 2.1V 至 4.0V，使得其适用于多种驱动电路，包括常见的光耦驱动和栅极驱动 IC。此外，该器件还具备良好的热稳定性，在高温环境下仍能保持稳定的工作性能。
IXBL60N360 广泛应用于各种高功率开关设备和电源管理系统。其典型应用包括工业电机驱动器、电源转换器（如 DC/DC 转换器和 AC/DC 整流器）、逆变器系统、UPS（不间断电源）以及电动工具和电动车控制系统。由于其高耐压能力和低导通电阻，特别适用于需要高效能和高可靠性的功率控制场合。此外，该器件也适用于焊接设备、电镀电源和高频感应加热等工业设备。
IXFH60N360, IRFP460LC, IXBL60N360PBF
