时间：2025/8/6 6:28:16
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IXBK75N170A 是一款由 Littelfuse（原 International Rectifier）制造的高电压 N 沟道功率 MOSFET，专为高功率和高温环境下工作而设计。该器件具有优异的导通电阻、高电流容量和出色的热性能，适用于工业电源、电机控制、太阳能逆变器和电动汽车等高要求应用。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压 Vds：1700 V
漏极电流 Id（连续）：75 A（Tc=25°C）
Rds(on)（典型值）：1.25 Ω（在 Vgs=15V）
栅极阈值电压 Vgs(th)：4.5 V @ 250 μA
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装形式：TO-247AC
封装类型：分立式MOSFET
功率耗散（Pd）：300 W
漏极-源极击穿电压（BVDSS）：1700 V
IXBK75N170A 采用了先进的沟槽栅技术，提供极低的导通电阻，从而降低导通损耗并提高效率。该器件的耐压能力高达 1700V，使其适用于高电压应用。此外，其高电流容量（75A）和良好的热管理特性，确保其在高负载条件下也能稳定运行。
该 MOSFET 还具备出色的雪崩能量耐受能力，能够在极端工作条件下提供更高的可靠性。其封装设计支持良好的散热性能，适用于高功率密度系统设计。
由于其卓越的电气特性和热稳定性，IXBK75N170A 可广泛应用于工业逆变器、电源转换器、电机驱动器和可再生能源系统等领域。
IXBK75N170A 常用于需要高电压和高电流能力的功率电子系统中。典型应用包括：
? 高压电源转换器和DC-DC变换器
? 工业电机驱动和变频器
? 太阳能逆变器和储能系统
? 电动汽车充电系统和车载逆变器
? 不间断电源（UPS）
? 电力电子负载管理电路
IXGN75N170A, IXYK75N170C, IXLK75N170A
