IXBK75N170 时间：2025/8/6 7:42:06 阅读：29

IXBK75N170 是一款由 IXYS 公司制造的高电压、高电流 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为需要高效率、高可靠性和高耐压能力的电源应用而设计，例如工业电源、UPS（不间断电源）、电机控制、太阳能逆变器和焊接设备等。IXBK75N170 具有优异的导通电阻（Rds(on)）特性，能够在高电压条件下提供稳定的电流传输能力。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：1700V
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　连续漏极电流（ID@25℃）：75A
　　峰值漏极电流（IDM）：300A
　　导通电阻（Rds(on)）：最大值 0.155Ω
　　工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
　　封装形式：TO-264

特性

IXBK75N170 MOSFET 的核心特性之一是其高耐压能力，漏源电压（VDS）可达1700V，使其适用于高电压电源系统。该器件的导通电阻较低，最大值为0.155Ω，有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，该MOSFET具备较高的连续漏极电流能力（75A），使其能够承受较大的负载电流，适用于高功率应用场景。
　　该MOSFET的栅源电压容限为±30V，具备较强的栅极驱动能力，可在较宽的驱动电压范围内稳定工作。其峰值漏极电流可达300A，适合应对瞬态高电流需求。此外，IXBK75N170 采用 TO-264 封装，具有良好的热管理和散热性能，确保在高功率工作条件下的稳定性和可靠性。
　　该器件还具备较低的开关损耗，适用于高频开关应用，提高系统的响应速度和整体效率。同时，其内部结构优化设计减少了寄生电容和电感效应，提高了开关性能和抗干扰能力。

应用

IXBK75N170 主要用于高功率和高电压的应用场景。例如，在工业电源中，该MOSFET可作为主开关元件，实现高效能的能量转换。在不间断电源（UPS）系统中，它可提供稳定的高电压开关控制，确保电力供应的连续性。在太阳能逆变器中，该器件可用于DC-AC转换环节，提升能量转换效率并降低系统损耗。
　　此外，IXBK75N170 还适用于电机控制和焊接设备等应用。在电机控制中，它能够提供高电流输出，实现电机的快速启动和制动控制。在焊接设备中，该MOSFET可作为高功率开关，提供精确的电流调节能力，确保焊接质量。
　　由于其高耐压、低导通电阻和良好的热管理能力，IXBK75N170 也广泛应用于电动汽车充电器、高压直流变换器和工业自动化系统等现代电力电子设备中。