时间：2025/7/26 14:40:55
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IXBH5N160G是一款高电压、高电流的功率MOSFET，适用于高功率开关应用。该器件由IXYS公司制造，采用TO-247封装形式，具备优异的热性能和电气性能，适用于工业电源、电机驱动、逆变器等场合。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：1600V
最大漏极电流(Id)：5A（连续）
栅极阈值电压(Vgs(th))：约4.5V~6.5V
导通电阻(Rds(on))：约2.5Ω（典型值）
封装类型：TO-247
最大功耗(Pd)：100W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
IXBH5N160G具有出色的高温稳定性和耐用性，能够在恶劣环境下稳定工作。其高耐压能力使其适用于高压电源转换和电机控制等应用。该器件的低导通电阻有助于降低功率损耗，提高系统效率。此外，IXBH5N160G具备良好的短路和过载能力，增强了器件的可靠性。
在封装方面，TO-247封装提供了良好的散热性能，适用于高功率密度设计。该MOSFET的栅极驱动电压范围宽，便于与多种驱动电路兼容，提高了设计灵活性。
此外，IXBH5N160G采用了先进的制造工艺，确保了器件在高频开关下的稳定性，适用于开关电源、逆变器、UPS系统等高要求应用。其内部结构优化，减少了寄生电容，提高了开关速度和系统响应能力。
IXBH5N160G广泛应用于高压直流-直流转换器、工业电机驱动、UPS不间断电源、光伏逆变器、电焊设备、高压LED驱动器以及各种高功率开关电路中。由于其优异的电气性能和稳定性，该器件也常用于需要高可靠性的工业自动化和电力电子系统。
IXFH5N160Q, IXTP5N160G, IXTH5N160G
