时间：2025/8/6 9:10:31
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IXBH20N300 是一款由 IXYS 公司生产的高功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高电压和高电流应用设计。该器件采用 TO-264 封装，具备优良的热性能和高可靠性，适用于工业电源、逆变器、电动车辆以及可再生能源系统等高要求的电力电子应用。IXBH20N300 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，其漏源电压（VDS）额定值为 300V，漏极电流（ID）在 25°C 下可达 20A。该器件具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，适合在高效率和高功率密度的电路中使用。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压（VDS）：300V
漏极电流（ID @ 25°C）：20A
栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：0.18Ω（最大）
功率耗散（PD）：200W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-264
IXBH20N300 的主要特性之一是其较低的导通电阻（RDS(on)），这有助于降低导通损耗，提高整体系统的效率。此外，该器件具有较高的电流处理能力，能够在高负载条件下稳定工作。由于采用了先进的平面技术，IXBH20N300 在高频开关应用中表现出色，能够有效减少开关损耗。该 MOSFET 还具备良好的热稳定性，能够在高温环境下运行，适用于高可靠性和高功率密度的设计需求。此外，其 TO-264 封装形式具有良好的散热性能，能够有效地将热量传导至散热片，从而延长器件的使用寿命。
IXBH20N300 还具有优异的雪崩能量承受能力，能够在异常工作条件下提供额外的保护，避免器件损坏。这种特性使其在电机驱动、电源转换和 UPS 系统等应用中表现尤为出色。该器件还具有较低的栅极电荷（Qg），有助于提高开关速度并减少驱动损耗，从而进一步提高系统的整体效率。
IXBH20N300 常用于需要高电压和高电流处理能力的电力电子系统中。例如，它广泛应用于工业电源、开关电源（SMPS）、电机控制、逆变器、UPS（不间断电源）、电焊机以及可再生能源系统（如太阳能逆变器和风力发电控制系统）。由于其高频开关能力和高效率，该 MOSFET 特别适用于需要高效能和紧凑设计的现代电力电子设备。此外，IXBH20N300 也适用于电动汽车和混合动力汽车中的电源管理系统，作为主开关或功率调节元件。
IXBH20N300CS, IXTH20N300, IXFH20N300
