时间：2025/8/5 14:14:47
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IXBH20N140是一种高功率MOSFET晶体管，由IXYS公司制造。该器件专为高电压和高电流应用设计，适用于需要高可靠性和高效能的工业与电力电子系统。该MOSFET采用TO-264封装，具备良好的散热性能，适用于开关电源、电机控制、逆变器和不间断电源（UPS）等应用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：1400V
最大漏极电流（Id）：20A（在Tc=25°C时）
导通电阻（Rds(on)）：典型值0.38Ω（最大0.45Ω）
栅极阈值电压（Vgs(th)）：3.5V至6.5V
最大功耗（Ptot）：200W
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：TO-264
IXBH20N140具备低导通电阻、高电流容量和高耐压特性，使其在高功率应用中表现出色。其设计优化了开关性能，降低了开关损耗，从而提高了系统的整体效率。此外，该器件具有出色的热稳定性，能够在高负载条件下保持稳定运行。其TO-264封装提供了良好的散热能力，确保在高功率环境下的可靠性。该MOSFET还具备良好的抗雪崩能力和高耐用性，适合在恶劣工作条件下使用。
该器件广泛应用于高功率开关电源、工业电机驱动器、逆变器、UPS系统以及电力调节设备。此外，IXBH20N140也适用于高频功率转换器和直流-直流变换器等场景，为高电压系统提供高效的功率控制解决方案。
IXFH20N140, IXBH25N140, IRGP50B60PD1
