IXBH14N250 时间：2025/8/5 23:40:09 阅读：26

IXBH14N250是一款由IXYS公司生产的高功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于需要高电压和高电流处理能力的电力电子应用。该器件采用TO-264封装，具备良好的热管理和电气性能，适用于工业电源、不间断电源（UPS）、逆变器和马达控制等高要求的应用场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：2500V
　　最大栅源电压（Vgs）：±30V
　　最大连续漏极电流（Id）：14A
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值为1.65Ω
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：TO-264

特性

IXBH14N250具备多个关键特性，使其在高压和高功率应用中表现出色。首先，其高耐压能力（2500V Vds）使其能够应对极端电压条件，适用于如工业电源和逆变器等应用。其次，该器件的最大连续漏极电流为14A，能够在高负载条件下稳定工作。
　　该MOSFET的导通电阻（Rds(on)）典型值为1.65Ω，确保了在导通状态下的低功率损耗，提高了系统的整体效率。此外，其栅极驱动电压范围为±30V，具有较强的抗过压能力，同时支持快速开关操作，降低开关损耗。
　　IXBH14N250采用TO-264封装形式，具备良好的散热性能，能够有效管理工作时产生的热量。其工作温度范围为-55°C至+150°C，适用于恶劣环境条件下的稳定运行。该器件还内置了静电放电（ESD）保护，提升了其在实际应用中的可靠性。

应用

IXBH14N250广泛应用于多个高功率电子系统中。在工业电源系统中，该器件可用于构建高效的开关电源，提供稳定的直流电压输出。在不间断电源（UPS）系统中，IXBH14N250可用于逆变器部分，实现交流电与直流电之间的高效转换，确保在主电源故障时能够迅速提供备用电源。
　　此外，该MOSFET在太阳能逆变器和电动汽车充电器等新能源应用中也有重要地位，能够高效地将直流电转换为交流电，满足不同电力系统的需求。在马达控制应用中，IXBH14N250可用于驱动大功率直流或交流马达，提供可靠的开关控制和高效的能量转换。
　　该器件还可用于焊接设备、医疗电源和高功率LED照明系统等特殊应用领域，提供稳定的电力转换和控制解决方案。