时间：2025/8/5 21:10:54
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IXBF10N300C是一款由英飞凌（Infineon）公司制造的功率MOSFET晶体管，属于其OptiMOS?系列。该器件专为高效率、高频率开关应用而设计，适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制和工业自动化等场景。IXBF10N300C采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有极低的导通电阻和出色的热性能。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：10A
最大漏-源电压（VDS）：300V
导通电阻（RDS(on)）：最大0.24Ω
栅极电荷（Qg）：22nC
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-263（D2PAK）
IXBF10N300C具备多项先进特性，首先，其极低的导通电阻（RDS(on)）确保了在高电流下的最小功率损耗，从而提高了整体效率。其次，该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，使得在高频开关应用中表现出色，减少了开关损耗。
此外，IXBF10N300C的热性能优异，能够在高负载条件下保持稳定运行，延长器件的使用寿命。该MOSFET的封装形式为TO-263（D2PAK），提供了良好的散热性能，并且兼容表面贴装工艺，便于在PCB上安装和使用。
其栅极电荷（Qg）较低，有助于减少驱动电路的功耗，同时提高开关速度。IXBF10N300C还具备良好的短路耐受能力，能够在极端条件下提供额外的安全保障。这些特性共同使得IXBF10N300C成为工业电源、电机驱动和DC-DC转换器等高要求应用的理想选择。
IXBF10N300C广泛应用于各类高效率功率转换系统中。典型应用包括工业电源、开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、UPS（不间断电源）、电机控制和变频器等领域。
在工业自动化和控制系统中，该MOSFET可用于驱动电机、继电器和其他高功率负载。此外，IXBF10N300C也适用于太阳能逆变器、储能系统和电动车充电设备等新能源领域。
由于其高频性能和低导通损耗，IXBF10N300C也常用于需要高效能和高可靠性的通信电源和服务器电源系统中。
IPD10N30C3, STF10N30M, FQP10N30C
