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IXA60IF1200NA 发布时间 时间:2025/12/29 14:11:49 查看 阅读:16

IXA60IF1200NA是一款由IXYS公司制造的功率MOSFET模块,专为高功率应用设计。该模块采用先进的半导体技术,具有低导通电阻和高电流承载能力,适用于电源转换、电机驱动和工业自动化等高要求环境。

参数

类型:功率MOSFET模块
  最大漏源电压(Vds):1200V
  最大漏极电流(Id):60A
  导通电阻(Rds(on)):典型值0.15Ω
  封装类型:绝缘双列直插式封装(DIP)
  工作温度范围:-55°C至150°C

特性

IXA60IF1200NA模块具有优异的热性能和电气性能,能够提供高效的功率转换。其低导通电阻减少了导通损耗,提高了整体效率。此外,该模块的高电流承载能力和耐高压特性使其在高功率应用中表现出色。模块的绝缘封装设计确保了在恶劣环境下的可靠运行,并提供了良好的散热性能。这些特性共同使得IXA60IF1200NA成为电源转换、电机控制和工业自动化设备的理想选择。
  该模块还具备良好的抗短路能力和高温稳定性,能够在极端工作条件下保持性能稳定。同时,其快速开关特性减少了开关损耗,提高了系统的响应速度和效率。模块的封装设计还简化了安装过程,降低了热阻,从而延长了设备的使用寿命。

应用

IXA60IF1200NA广泛应用于工业电源、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器、电动车辆充电系统、电机驱动器以及各种高功率电子设备中。其高效的功率处理能力和可靠性使其成为需要高功率密度和高效率的系统的首选组件。

替代型号

IXA60IF1200NA的替代型号包括IXA60IF1200NB和IXA60IF1200NC,这些型号在参数和性能上相近,可根据具体应用需求进行选择。

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IXA60IF1200NA参数

  • 晶体管类型:绝缘栅双极型晶体管(IGBT)
  • 集电极直流电流:88A
  • 饱和电压, Vce sat 最大:2.1V
  • 功耗, Pd:290W
  • 电压, Vceo:1.2kV
  • 工作温度范围:-55°C 到 +150°C
  • 封装类型:SOT-227B
  • 针脚数:4
  • 最大功耗:290W