IXA531L4T/R 时间：2025/8/6 4:39:12 阅读：24

IXA531L4T/R 是由 IXYS 公司生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率和高频开关应用。该器件采用了先进的平面技术，具备高击穿电压、低导通电阻以及良好的热性能，适用于电源管理、电机控制、DC-DC 转换器和各种工业电子设备。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏极-源极电压（Vds）：500V
　　栅极-源极电压（Vgs）：±30V
　　连续漏极电流（Id）：8.0A
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-220AB
　　导通电阻（Rds(on)）：最大 0.55Ω
　　功率耗散（Ptot）：75W

特性

IXA531L4T/R 在设计上具备多项优越特性，使其适用于高要求的功率转换系统。其高击穿电压（500V）确保了在高压环境下的稳定运行，同时低导通电阻（最大 0.55Ω）有效降低了导通损耗，提高了整体能效。该器件的封装形式为 TO-220AB，具备良好的散热性能，适合在高功率密度应用中使用。
　　此外，IXA531L4T/R 的栅极驱动电压范围宽广（±30V），使其兼容多种驱动电路设计，并增强了在高频开关应用中的灵活性。其最大连续漏极电流为 8.0A，能够满足中高功率负载的需求。热阻（Rth）较低，提高了器件在高温环境下的可靠性。

应用

IXA531L4T/R 主要应用于中高功率电力电子系统中，如开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、AC-DC 整流器、UPS（不间断电源）、电池管理系统（BMS）以及电机控制电路。其高耐压特性也使其适合用于照明控制和工业自动化设备中的高压开关控制。此外，在太阳能逆变器、电动车充电设备和智能电网系统中，该器件也常用于功率开关和能量转换模块。