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IXA477WJ 发布时间 时间:2025/8/27 22:13:48 查看 阅读:5

IXA477WJ 是一款由 IXYS 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高功率、高频率的开关应用。该器件设计用于在高温和高电压环境下提供稳定可靠的性能,适用于各种电源管理、电机控制、DC-DC 转换器、逆变器以及工业自动化系统中。

参数

类型:N 沟道 MOSFET
  最大漏源电压(Vds):600V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  最大连续漏极电流(Id):10A(在25°C时)
  最大功率耗散(Ptot):200W
  导通电阻(Rds(on)):0.47Ω(最大值,典型值可能更低)
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装形式:TO-247AC

特性

IXA477WJ 具备一系列高性能特性,使其适用于各种工业和电力电子应用。
  首先,该 MOSFET 的最大漏源电压为 600V,能够承受较高的电压应力,适用于高压开关电路。其最大连续漏极电流为 10A,在适当的散热条件下可实现高效能的功率传输。
  其次,IXA477WJ 的导通电阻(Rds(on))最大为 0.47Ω,该参数决定了在导通状态下的功率损耗。较低的导通电阻有助于减少导通损耗,提高整体效率,同时降低温升,提升系统可靠性。
  此外,该器件具备±20V 的栅源电压耐受能力,允许使用标准的栅极驱动电路进行控制,同时具备一定的过压保护能力。其 TO-247AC 封装具有良好的散热性能,适用于高功率密度设计。
  IXA477WJ 的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C,表明其能够在极端温度条件下稳定运行,适用于工业级和汽车电子等严苛环境的应用场景。
  最后,该 MOSFET 具备快速开关特性,适用于高频开关电源和电机控制应用,有助于减小外围滤波元件的尺寸并提升系统响应速度。

应用

IXA477WJ 主要应用于高电压和中等功率的开关电路中。典型的应用包括:
  1. 开关电源(SMPS):用于构建高效率的 AC-DC 和 DC-DC 转换器,适用于服务器电源、工业电源模块和通信设备电源系统。
  2. 电机控制:作为功率开关用于直流电机、步进电机或无刷直流电机的控制电路中,广泛应用于自动化设备、机器人和家电产品。
  3. 逆变器和 UPS 系统:用于构建 DC-AC 逆变桥式电路,支持不间断电源(UPS)、太阳能逆变器和储能系统的高效能量转换。
  4. 电池管理系统(BMS):在高压电池组的充放电控制中,用于实现快速和可靠的功率切换。
  5. 工业控制和自动化:用于工业 PLC、伺服驱动器和工业变频器中的功率开关部分,提升系统效率和稳定性。

替代型号

IXFP10N60P, FQA10N60, IRFBC40, STP10NK60Z

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