时间：2025/12/28 21:14:37
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IXA476MJZZ是一款由Vishay Siliconix制造的N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高效率、高频率开关应用而设计，适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电机控制等多种应用场景。采用先进的TrenchFET技术，IXA476MJZZ在小型封装中实现了极低的导通电阻（RDS(on)）和优异的热性能，有助于提高系统效率并减少散热设计的复杂度。
类型：N沟道
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：20V（最大）
连续漏极电流（ID）：16A（在25°C下）
导通电阻（RDS(on)）：7.6mΩ（最大，VGS=10V）
功耗（PD）：2.8W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装形式：PowerPAK SO-8
IXA476MJZZ采用Vishay的TrenchFET技术，显著降低了导通电阻，从而减少了导通损耗并提高了整体能效。该MOSFET具有较高的电流承载能力，能够在高负载条件下保持稳定工作。
其封装形式为PowerPAK SO-8，具备良好的热管理性能，适合在空间受限的设计中使用。由于其低栅极电荷（Qg）和低输出电容（Coss），IXA476MJZZ非常适合用于高频开关应用，能够有效降低开关损耗并提高系统响应速度。
此外，该器件的绝对最大额定值涵盖了广泛的电压和电流条件，确保其在各种严苛环境下的可靠性。其栅极驱动电压范围较宽，支持5V至10V的驱动电压，增强了与不同控制器的兼容性。
IXA476MJZZ还具备良好的抗雪崩能力和过热保护特性，能够在异常工作条件下提供更高的鲁棒性。
IXA476MJZZ广泛应用于各种电力电子设备中，包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统以及服务器和通信设备的电源模块。
在服务器电源和VRM（电压调节模块）设计中，IXA476MJZZ能够提供高效的能量转换，同时减少热管理的复杂性。在电池供电设备中，其低导通电阻有助于延长电池寿命。此外，该器件也常用于工业自动化设备、汽车电子系统以及便携式消费电子产品中。
Si7476DP-T1-GE3, AO4760, FDS4760, IPD476P03L3ATMA1
