IX9915N 是一款由 IXYS 公司设计的高性能、高集成度的 MOSFET 和 IGBT 驱动器芯片。该芯片专为电源转换系统设计,如 DC-DC 转换器、逆变器和电机控制应用,提供高效且可靠的驱动能力。IX9915N 采用先进的高压集成电路(HVIC)技术制造,具备高侧和低侧驱动能力,适用于半桥或全桥拓扑结构。
工作电压范围:10V 至 20V
最大输出电流:±1.5A(峰值)
传播延迟:110ns(典型值)
上升/下降时间:20ns / 15ns(典型值)
高侧浮动电压:最高可达 +600V
输入逻辑兼容:3.3V、5V、15V 兼容
工作温度范围:-40°C 至 +125°C
IX9915N 是一款双通道高压栅极驱动器,具备高侧和低侧驱动能力,适合用于半桥拓扑结构。其内置的死区时间控制机制可有效防止上下桥臂同时导通,从而避免短路风险。该芯片还具备欠压锁定(UVLO)功能,在电源电压不足时自动关闭输出,确保器件的安全运行。此外,IX9915N 具有良好的抗噪能力和高 dv/dt 抑制性能,使其在高频率和高电压环境下仍能稳定工作。其封装形式为 16 引脚 SOIC,具备良好的热性能和绝缘性能,适合工业级应用。芯片内部集成了自举二极管,减少了外部元件的数量,提高了系统的可靠性和紧凑性。
IX9915N 主要用于需要高侧和低侧驱动能力的功率转换系统中,例如 AC-DC 和 DC-DC 转换器、电机驱动器、UPS(不间断电源)、太阳能逆变器以及工业自动化控制系统。其高可靠性和宽工作电压范围使其成为高效率、高功率密度设计中的理想选择。
IX9916N, IR2110, TC4420