时间：2025/8/6 4:53:23
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IX6R11S6T/R 是由 IXYS 公司生产的一款功率MOSFET晶体管，专为高效能电源管理和开关应用而设计。该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，提供了较低的导通电阻（Rds(on)）和快速的开关性能，适用于需要高效率和紧凑设计的电源系统。该封装为TO-220，具备良好的散热性能，适合工业级应用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：600V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：11A
导通电阻(Rds(on))：0.42Ω @ Vgs=10V
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装形式：TO-220
功率耗散(Pd)：100W
IX6R11S6T/R 具备多项优异特性，包括低导通电阻，这有助于减少导通损耗，提高整体系统效率；其高耐压能力（600V）使得该器件适用于高电压应用，如开关电源（SMPS）、电机控制和照明镇流器等；快速的开关速度可以有效降低开关损耗，提高频率响应，适用于高频开关应用。
此外，该MOSFET具备良好的热稳定性和可靠性，能够在高温环境下稳定工作，确保长期运行的安全性。其TO-220封装设计提供了良好的散热通道，增强了器件在高功率应用中的耐用性。内置的雪崩能量保护功能也提升了器件在瞬态过压情况下的鲁棒性，增强了系统的稳定性与安全性。
IX6R11S6T/R 适用于多种高功率和高频应用场合，包括但不限于：开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、电机驱动与控制、LED照明系统、太阳能逆变器、电池充电器以及工业自动化设备中的功率开关电路。由于其良好的热管理和高可靠性，该器件也常用于需要长时间运行的工业控制和电力电子设备中。
IXTP12N60C, FQA11N60, STW11NM60ND, IRFGB40N60B
