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IX6R11S3 发布时间 时间:2025/12/26 18:30:08 查看 阅读:20

IX6R11S3是一款由IXYS公司生产的高电压、大电流双极晶体管(BJT),广泛应用于工业控制、电源转换和电机驱动等高功率电子系统中。该器件属于IXYS的高可靠性功率晶体管产品线,专为需要高效开关和线性操作的应用而设计。IX6R11S3采用先进的平面外延技术制造,具备优良的热稳定性和载流能力,能够在高温和高电压环境下长时间稳定运行。其封装形式通常为TO-247或类似的高功率封装,便于安装在散热器上以实现有效热管理。该晶体管具有较低的饱和压降(Vce(sat)),有助于减少导通损耗,提高整体系统效率。同时,它具备较高的电流增益(hFE),确保在基极驱动电路中使用较小的控制电流即可实现对较大负载电流的控制,从而简化驱动电路设计并降低功耗。此外,IX6R11S3还具备良好的抗二次击穿能力和较高的安全工作区(SOA),使其在瞬态过载或短路条件下仍能保持可靠运行,适用于对可靠性要求极高的工业和能源领域应用。

参数

型号:IX6R11S3
  制造商:IXYS
  晶体管类型:NPN 双极结型晶体管(BJT)
  最大集电极-发射极电压(VCEO):1200 V
  最大集电极-基极电压(VCBO):1200 V
  最大发射极-基极电压(VEBO):12 V
  最大集电极电流(IC):11 A
  峰值集电极电流(ICM):22 A
  最大耗散功率(PC):200 W
  工作结温范围(Tj):-55°C 至 +150°C
  存储温度范围(Tstg):-55°C 至 +150°C
  直流电流增益(hFE):最小 10(典型值随电流和温度变化)
  集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):典型 1.8 V @ IC = 11 A, IB = 1.1 A
  过渡频率(fT):典型 4 MHz
  封装类型:TO-247

特性

IX6R11S3作为一款高性能的高压大功率NPN晶体管,具备多项关键特性以满足严苛工业环境下的应用需求。首先,其高达1200V的集电极-发射极和集电极-基极耐压能力,使其能够安全地工作于高压开关电源、逆变器和直流电机控制器等系统中,有效防止因电压尖峰导致的器件击穿。其次,该晶体管可承受持续11A、峰值22A的集电极电流,结合200W的最大功耗能力,适合用于中高功率等级的能量转换设备。其低饱和压降特性(典型1.8V)显著降低了导通状态下的功率损耗,提高了系统的能效表现,尤其在连续工作模式下具有明显优势。
  该器件采用坚固的TO-247封装,具备优良的热传导性能,可通过外接散热器将内部热量快速散发,保障长期运行的稳定性。其宽泛的工作结温范围(-55°C至+150°C)和存储温度范围,使其可在极端气候条件下正常工作,适用于户外电源、工业自动化设备及电力牵引系统等复杂环境。
  此外,IX6R11S3具备较高的抗二次击穿能力,拥有宽广的安全工作区(SOA),即使在启动冲击、负载突变或短时过载情况下也能维持可靠运行,避免发生热失控或永久性损坏。其典型的直流电流增益(hFE)虽不高但足够稳定,配合适当的基极驱动电路即可实现高效控制。该晶体管还具备一定的抗辐射能力和长期老化稳定性,适合用于寿命要求长、维护困难的工业装置中。综合来看,IX6R11S3是一款兼顾高电压、大电流、高可靠性和良好热性能的功率晶体管,是传统GTR(巨型晶体管)应用中的优选器件之一。

应用

IX6R11S3广泛应用于多种高功率电子系统中,尤其是在需要高压大电流开关能力的工业与能源领域。其主要应用场景包括高压开关电源(SMPS),特别是在离线式反激、正激或半桥拓扑结构中作为主开关管使用,能够承受整流后的高压直流母线电压,并在高频下实现高效能量转换。在交流电机驱动器和直流电机控制器中,该晶体管常被用于H桥或推挽式输出级,控制电机的启停、转向和调速,适用于工业泵、风机、传送带等自动化设备。
  此外,IX6R11S3也常见于逆变器系统,如不间断电源(UPS)、太阳能逆变器和焊接电源中,负责将直流电转换为交流电输出,其高耐压和强载流能力确保了逆变过程的稳定性和效率。在感应加热和电磁炉等家用或工业加热设备中,该晶体管可用于构建谐振变换器,驱动高频交变电流通过加热线圈产生涡流加热效应。
  由于其优异的热稳定性和抗过载能力,IX6R11S3还适用于各种线性放大器和稳压电源设计,例如高功率音频放大器或实验室用可调直流电源,在这些应用中它工作于线性区,需配合完善的散热措施以防止过热。同时,该器件也可用于高压脉冲发生器、X射线电源、激光驱动器等特种电源设备中,提供精确可控的大电流脉冲输出。总之,凡是涉及高电压、大电流、高可靠性要求的功率控制场合,IX6R11S3都是一种值得信赖的核心元器件选择。

替代型号

STGF12N120D
  IRGPC40U
  FGL40N120ANTD

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IX6R11S3参数

  • 标准包装46
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关
  • 系列-
  • 配置半桥
  • 输入类型非反相
  • 延迟时间120ns
  • 电流 - 峰6A
  • 配置数1
  • 输出数2
  • 高端电压 - 最大(自引导启动)600V
  • 电源电压10 V ~ 35 V
  • 工作温度-40°C ~ 125°C
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳16-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
  • 供应商设备封装16-SOIC
  • 包装管件
  • 配用EV6R11S3-ND - BOARD EVALUATION IX6R11S3
  • 其它名称Q2251412