IX6611TR 时间：2025/8/5 22:19:14 阅读：16

IX6611TR 是一款由 IXYS 公司生产的双路高侧/低侧栅极驱动器芯片，专门用于驱动功率MOSFET和IGBT等功率器件。该芯片采用了高压浮地技术，能够适应高电压和高频应用场合，广泛应用于电机驱动、电源转换、工业自动化和新能源系统中。IX6611TR 提供了强大的驱动能力和良好的抗干扰性能，能够有效提升功率转换系统的效率和稳定性。

参数

类型：栅极驱动器
　　通道数：2通道（双路）
　　工作电压范围：10V - 20V
　　输出电流（峰值）：±1.5A
　　高压侧电压最大值：600V
　　传输延迟时间：最大120ns
　　上升时间：典型值40ns
　　下降时间：典型值30ns
　　工作温度范围：-40°C至+125°C
　　封装类型：SOIC-16

特性

IX6611TR 的主要特性包括双通道栅极驱动能力，适用于高侧和低侧功率开关的控制。其集成的高压浮地技术使其能够承受高达600V的电压，适用于多种功率拓扑结构，如半桥、全桥和同步整流电路。该芯片内置欠压锁定（UVLO）保护功能，能够在电源电压不足时自动关闭输出，防止功率器件误操作。此外，IX6611TR 具有较强的抗电磁干扰（EMI）能力，确保在高噪声环境下仍能稳定运行。其输出驱动能力强，能够快速驱动大功率MOSFET和IGBT，从而降低开关损耗，提高系统效率。
　　该器件的封装形式为SOIC-16，便于PCB布局并具有良好的散热性能。IX6611TR 还支持宽温度范围工作，适合工业级应用。其驱动信号传输延迟低，上升和下降时间短，有助于提高功率变换系统的响应速度和动态性能。

应用

IX6611TR 主要应用于各类需要高效功率开关驱动的电子系统中，例如无刷直流电机（BLDC）驱动器、伺服驱动系统、工业电源、太阳能逆变器、电动汽车充电模块以及DC-DC转换器等。该芯片也常用于电机控制、智能电网设备和自动化控制系统中的功率级驱动部分。由于其高耐压能力和双路驱动特性，IX6611TR 在半桥结构的拓扑中表现尤为出色，可显著提升系统的稳定性和可靠性。