IX4426NTR-JSM 是一款由 IXYS 公司生产的 N 沟道功率 MOSFET 芯片。该器件采用先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于各种高频开关应用。其封装形式为 TO-252 (DPAK),具备良好的散热性能和紧凑的尺寸设计,能够满足现代电力电子设备对高效能和小型化的需求。
该芯片广泛应用于电源管理、电机驱动、DC-DC 转换器以及逆变器等场景,能够提供出色的电流承载能力和耐压性能。
最大漏源电压:100V
连续漏极电流:37A
导通电阻:2.5mΩ
栅极电荷:28nC
开关速度:快速
封装类型:TO-252 (DPAK)
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
IX4426NTR-JSM 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻(2.5mΩ),有助于降低功耗并提高效率。
2. 高额定电流(37A),使其能够适应大功率应用场景。
3. 快速开关能力,支持高频操作,减少磁性元件体积。
4. 良好的热性能设计,适合长时间稳定运行。
5. 紧凑型 DPAK 封装,便于 PCB 布局优化。
6. 宽泛的工作温度范围(-55℃ 至 +150℃),确保在极端环境下的可靠性。
7. 符合 RoHS 标准,环保且兼容现代生产工艺。
这款芯片适用于以下领域:
1. 开关电源(Switching Power Supplies)
2. DC-DC 转换器
3. 电机驱动与控制
4. 工业自动化设备中的功率级模块
5. 太阳能逆变器及 UPS 系统
6. 各类高效能电池充电解决方案
由于其高性能表现,IX4426NTR-JSM 成为众多工程师在设计功率转换电路时的理想选择。
IXTH65N10P3, IRF540N