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IX4425NTR 发布时间 时间:2025/6/12 16:10:40 查看 阅读:9

IX4425NTR是由International Rectifier(现为Infineon Technologies)生产的一款高压MOSFET,属于IR的HEXFET系列。该器件采用N沟道增强型技术设计,适用于高频开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等应用场合。其高击穿电压和低导通电阻特性使其成为工业和消费电子领域中的理想选择。

参数

最大漏源电压:600V
  最大连续漏极电流:2.9A
  栅源开启电压:3V至8V
  导通电阻(典型值,Vgs=10V):1.6Ω
  总功耗:7W
  结温范围:-55℃至+150℃
  封装形式:TO-220

特性

IX4425NTR具有高雪崩能量能力,可确保在过载或短路条件下可靠运行。
  其RDS(on)经过优化,能够在高频应用中降低传导损耗。
  内置的快速恢复二极管进一步提升了效率,同时减少了开关噪声。
  该器件具备较低的输入电容和输出电容,从而降低了开关损耗。
  采用TO-220封装,便于散热管理,并适合表面贴装和通孔安装工艺。

应用

IX4425NTR广泛应用于各类高压开关电路,包括但不限于开关模式电源(SMPS)、光伏逆变器、电机控制电路以及LED驱动器等场景。
  由于其出色的电气性能,这款MOSFET特别适合需要高效率和高可靠性的应用环境。
  此外,IX4425NTR还适用于脉宽调制(PWM)控制器、继电器驱动和电池充电管理系统等领域。

替代型号

IRF4425NTR
  IXYS4425NTR

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IX4425NTR参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • Digi-Key ProgrammableNot Verified
  • 驱动配置低端
  • 通道类型独立式
  • 驱动器数2
  • 栅极类型N 沟道,P 沟道 MOSFET
  • 电压 - 供电4.5V ~ 30V
  • 逻辑电压?- VIL,VIH0.8V,3V
  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出)3A,3A
  • 输入类型反相,非反相
  • 高压侧电压 - 最大值(自举)-
  • 上升/下降时间(典型值)18ns,18ns
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装8-SOIC