IX4424NTR-JSM 是一款由 IXYS 公司生产的 N 沟道功率 MOSFET。该器件采用 SO-8 封装,适用于需要高效能开关和低导通电阻的应用场景。其设计特点在于能够在高频率下提供卓越的性能,并且支持较高的连续漏极电流。这种功率 MOSFET 通常用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载切换等应用中。
最大漏源电压:100V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:3.7A
脉冲漏极电流:11.1A
导通电阻(典型值):0.5Ω
栅极电荷:3.8nC
反向恢复时间:65ns
工作结温范围:-55℃ 至 +150℃
封装类型:SO-8
IX4424NTR-JSM 的主要特点是低导通电阻,这有助于降低功耗并提高效率。此外,它还具有快速开关速度,可以减少开关损耗,从而适合高频应用。其出色的热性能确保了在高温环境下的稳定运行,同时 SO-8 封装提供了良好的散热能力。另外,该器件具备较高的雪崩能量耐受能力,增强了系统的可靠性。
由于采用了先进的制造工艺,IX4424NTR-JSM 在动态特性和静态特性之间取得了良好的平衡,使其成为许多电力电子应用的理想选择。它的低栅极电荷也减少了驱动电路的复杂性,简化了设计过程。
IX4424NTR-JSM 广泛应用于各种功率转换和控制领域,包括但不限于以下应用:
- 开关模式电源 (SMPS)
- DC-DC 转换器
- 电机驱动
- 负载切换
- 电池管理
- 通信设备中的电源模块
- 工业自动化控制
- 消费类电子产品中的功率管理部分
其高性能和可靠性使其特别适合于需要高效能和紧凑设计的应用场景。
IXTH40N10P5
IXFH40N10T
IRLZ44N