IX4340NETR 时间：2025/6/14 15:58:14 阅读：6

IX4340NETR是IXYS公司推出的一款N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-252封装。该器件适用于多种功率转换和电机驱动应用场合，具有低导通电阻、高开关速度以及良好的热性能等特点。其设计旨在提高效率并减少系统中的功率损耗。

参数

最大漏源电压：60V
　　连续漏极电流：27A
　　导通电阻：1.8mΩ
　　栅极电荷：10nC
　　输入电容：1520pF
　　总功耗：3.7W
　　工作温度范围：-55℃至150℃

特性

IX4340NETR具备低导通电阻，从而降低了传导损耗，提高了整体效率。
　　此功率MOSFET拥有较高的开关速度，有助于降低开关损耗，并适合高频应用。
　　它采用了先进的半导体制造工艺，确保了在恶劣环境下的可靠运行。
　　同时，IX4340NETR还支持较低的栅极驱动电压，简化了电路设计并增强了系统的灵活性。
　　此外，其紧凑的封装形式使其能够适应空间受限的应用场景。

应用

IX4340NETR广泛应用于DC-DC转换器、电机驱动、负载切换、电池保护电路等领域。
　　在消费电子领域，它可以用于适配器和充电器中以提供高效的功率管理。
　　工业控制方面，这款MOSFET可用于可编程逻辑控制器（PLC）、逆变器以及各种自动化设备。
　　另外，在汽车电子领域，IX4340NETR也能满足车身电子系统和电动助力转向等应用的需求。