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IX3399CEN2 发布时间 时间:2025/12/28 21:16:44 查看 阅读:9

IX3399CEN2是一款由IXYS公司生产的高性能MOSFET和IGBT驱动集成电路,广泛应用于工业电机控制、电源转换和电动汽车等领域。该芯片设计用于提供高效的栅极驱动能力,能够快速驱动功率MOSFET和IGBT器件,具有高隔离电压、宽工作温度范围以及优异的抗干扰能力。IX3399CEN2采用双列直插式封装(DIP),内置米勒效应抑制电路,能够在高dv/dt环境下稳定工作。

参数

类型:MOSFET/IGBT驱动器
  供电电压范围:15V至30V
  输出电流能力:±4.0A(峰值)
  传播延迟时间:小于0.5μs
  上升/下降时间:典型值50ns(1000pF负载)
  工作温度范围:-40°C至+125°C
  隔离电压:5000VRMS(1分钟)
  封装形式:14引脚DIP
  输出电压范围:0V至VCC
  输入信号兼容性:3.3V/5V TTL/CMOS

特性

IX3399CEN2具备多项先进特性,适用于高要求的功率电子系统。首先,其高驱动电流能力可有效缩短功率器件的开关时间,降低开关损耗。其次,该芯片具备强大的抗dv/dt能力,能够在高电压变化率环境下稳定工作,避免误触发。此外,内置的米勒效应抑制电路可有效防止因寄生电容引起的栅极振荡,提高系统稳定性。IX3399CEN2还具有宽输入电压范围,兼容多种控制信号电平,便于与各种微控制器和数字信号处理器(DSP)接口。其高隔离电压设计也确保了在高压应用中的安全性与可靠性。最后,芯片具备良好的热稳定性,在高温环境下仍能保持稳定输出性能。

应用

IX3399CEN2常用于各种高性能功率电子系统中,如工业电机驱动器、变频器、逆变器、不间断电源(UPS)、电动汽车充电系统、太阳能逆变器以及智能电网设备。其高隔离电压和抗干扰能力使其特别适用于高噪声和高电压环境。此外,该驱动器也可用于高频开关电源和功率因数校正(PFC)电路中,以提升整体系统效率和稳定性。

替代型号

IX3399CE, IX4399CE, IR2110, TC4420, UCC37322

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