IX2701CE 时间：2025/8/27 21:47:50 阅读：14

IX2701CE是一款由IXYS公司生产的高速MOSFET和IGBT驱动芯片。该芯片专为需要高效率、高可靠性和快速开关响应的功率转换系统而设计。IX2701CE采用双通道结构，具备独立的高低边驱动器，适用于半桥、全桥以及同步整流等拓扑结构。该芯片集成了多种保护功能，如欠压锁定（UVLO）、过流保护（OCP）和过热保护（OTP），确保系统在各种工作条件下都能稳定运行。

参数

供电电压范围：10V ~ 20V
　　输出电流（峰值）：±1.6A
　　传播延迟时间：最大120ns
　　上升时间：典型值为20ns
　　下降时间：典型值为15ns
　　工作温度范围：-40°C ~ +125°C
　　输入逻辑兼容性：3.3V、5V及15V逻辑电平
　　输出驱动方式：图腾柱输出
　　封装形式：8引脚SOIC

特性

IX2701CE具备多项先进的性能特性，使其在高频率和高功率应用中表现出色。其高速驱动能力确保了MOSFET或IGBT器件的快速开通与关断，从而减少了开关损耗并提高了系统效率。芯片内部的双通道结构支持独立控制，适用于复杂拓扑结构的驱动需求。
　　该芯片的输入端具有宽电压范围兼容性，可与各种控制器或微处理器配合使用，无需额外的电平转换电路。输出端具备较强的灌电流和拉电流能力，能够有效驱动大功率器件。
　　集成的保护功能包括欠压锁定，确保在电源电压不足时关闭输出，防止器件损坏；过流保护可在负载异常时限制输出电流，提高系统安全性；过热保护则在芯片温度过高时自动关闭驱动输出，防止热失控。
　　此外，IX2701CE的封装设计具备良好的热管理和电气隔离性能，适用于高噪声环境和恶劣工业条件。