IX2169CE 时间：2025/8/28 8:05:38 阅读：8

IX2169CE 是一款由 IXYS 公司设计的双通道、高速、高侧和低侧栅极驱动器集成电路，广泛用于驱动功率 MOSFET 和 IGBT 等功率器件。该芯片专为半桥结构的电源拓扑设计，适用于 DC-DC 转换器、电机驱动器、逆变器和开关电源等应用。IX2169CE 采用高压工艺制造，具备高抗噪能力和驱动能力，适合在恶劣的电力电子环境中工作。

参数

封装类型：SOIC-16
　　工作电压范围：10V - 20V
　　最大输出电流：±4A（峰值）
　　高侧工作电压（VS）：最高可达 600V
　　传输延迟：典型值 90ns
　　上升/下降时间：典型值 15ns / 10ns
　　输入逻辑电压兼容：3.3V、5V、15V
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C

特性

IX2169CE 的核心特性之一是其具备独立的高侧和低侧驱动通道，这使得它可以灵活地用于各种拓扑结构，如半桥、全桥和同步整流器等。该芯片采用自举供电方式为高侧电路供电，简化了外部电源设计。此外，IX2169CE 内置了欠压锁定（UVLO）保护功能，当供电电压低于安全阈值时，会自动关闭输出，防止功率器件工作在非安全状态。
　　其高速驱动能力确保了功率器件的快速开关，从而降低了开关损耗并提高了整体效率。芯片的输入端兼容多种逻辑电平，便于与不同类型的控制器（如 DSP、FPGA 或 MCU）连接。同时，IX2169CE 具备良好的抗干扰能力，能够有效应对高电压变化率（dv/dt）环境中的噪声干扰，确保驱动信号的稳定性。
　　为了防止上下桥臂直通短路，IX2169CE 提供了“互锁”功能，在一个通道导通时，另一个通道会自动关闭，从而避免同时导通的风险。该功能可以通过外部控制信号进行调节，满足不同应用的需求。

应用

IX2169CE 主要用于需要高速和高可靠性的功率转换系统中。例如，在电机驱动器中，它可用于驱动三相逆变器中的功率 MOSFET 或 IGBT，实现高效的电机控制；在开关电源（SMPS）中，该芯片适用于推挽、半桥或全桥拓扑结构，提供稳定可靠的栅极驱动信号；在光伏逆变器、电动汽车充电系统和工业自动化设备中，IX2169CE 也广泛用于功率器件的驱动电路设计。此外，由于其高集成度和可靠性，该芯片在高频变换器和同步整流电路中也有广泛应用。