IX2151是一款由IXYS公司推出的高性能半桥驱动器芯片,专为驱动功率MOSFET和IGBT等功率开关器件而设计。该芯片集成了高端和低端驱动电路,支持高电压和高频率应用,适用于各种电力电子变换器,如DC-DC转换器、电机驱动、逆变器以及不间断电源(UPS)系统。IX2151采用高压集成电路(HVIC)技术,能够在恶劣的电气环境下稳定工作,并提供出色的抗干扰能力和可靠性。
工作电压范围:高端侧10V至20V,低端侧10V至20V
输出驱动电流:高端侧峰值2.5A,低端侧峰值2.5A
工作频率:最高可达1MHz
输入逻辑电压范围:3.3V至20V兼容
导通延迟时间:典型值85ns
关断延迟时间:典型值75ns
高端侧浮动电压:最大600V
封装类型:14引脚双列直插(DIP)或表面贴装(SOIC)
IX2151具备多个关键特性,以确保其在高性能电源系统中的可靠性和稳定性。首先,该芯片集成了高端和低端两个驱动通道,采用自举技术实现高压浮动供电,无需外部隔离变压器,简化了电路设计并提高了效率。其次,IX2151具有出色的抗dv/dt能力,能够在高电压变化率环境下保持稳定运行,避免误触发。此外,芯片内部集成了欠压锁定(UVLO)保护功能,当电源电压低于安全阈值时自动关闭输出,防止功率器件工作在非安全状态。IX2151还具有宽输入逻辑兼容范围,支持3.3V、5V和15V控制信号,适用于多种控制平台,如微控制器、DSP或FPGA。该芯片的工作温度范围宽,适用于工业级温度范围(-40°C至+125°C),适用于各种严苛环境条件。最后,IX2151的封装设计考虑了电气隔离和散热需求,有助于提高系统整体的可靠性和寿命。
其高集成度和优异的性能使其成为工业电源、电机控制、照明电子和可再生能源系统中的理想选择。
IX2151广泛应用于需要高效驱动功率MOSFET或IGBT的场合。常见的应用包括:DC-DC升压/降压转换器、全桥或半桥式逆变器、电机驱动系统、不间断电源(UPS)、LED照明驱动器、光伏逆变器以及工业自动化设备中的功率控制模块。其高压浮动能力和高频响应特性,使其在高效率开关电源和高频功率变换器中表现出色。
IR2151、LM5101、NCP2151、FAN7390