工作电压范围：10V至30V
　　输出电流能力：±1.6A（峰值）
　　传播延迟时间：130ns（典型值）
　　上升/下降时间：10ns（典型值）
　　输入逻辑兼容：TTL和CMOS
　　工作温度范围：-40°C至+125°C
　　封装类型：DIP-14
　　隔离电压：2500VRMS（UL认证）

IX2093CE具有双通道独立驱动器，可同时驱动两个功率器件，如MOSFET或IGBT。该器件的高输出电流能力使其能够快速切换高功率负载，从而减少开关损耗并提高系统效率。其低传播延迟和快速上升/下降时间特性，使其非常适合高频开关应用。
　　该驱动器集成了欠压锁定（UVLO）保护功能，确保在电源电压不足时自动关闭输出，防止功率器件误动作。此外，IX2093CE具备交叉导通保护功能，避免上下桥臂同时导通，从而提高系统的安全性与稳定性。
　　其封装设计提供了良好的散热性能，并具有较强的抗电磁干扰（EMI）能力，适用于工业自动化和恶劣环境下的应用。同时，IX2093CE采用电容耦合技术，实现了输入与输出之间的电气隔离，增强了系统的安全性。
　　该芯片还支持宽输入电压范围，适应不同电源配置需求，并具备过温保护功能，在高温条件下自动关断以防止损坏。

IX2093CE广泛应用于各种电力电子系统中，如工业电机驱动、变频器、伺服控制系统、太阳能逆变器、电动汽车充电设备、UPS不间断电源系统以及各类高频开关电源等。
　　在电机控制应用中，IX2093CE可用于驱动H桥结构中的MOSFET或IGBT，实现高效、精确的转速与扭矩控制。在太阳能逆变器系统中，该驱动器可有效提升能量转换效率，确保系统稳定运行。
　　由于其优异的抗干扰性能和电气隔离能力，IX2093CE也常用于高噪声环境中的工业自动化控制系统，如PLC控制模块、机器人驱动器等。此外，该芯片在电动汽车的车载充电器和电池管理系统中也有广泛应用，提供高可靠性的功率驱动解决方案。

IX2093ME, IX2110, IR2110, TC4420