IX1961 时间：2025/8/27 18:11:00 阅读：26

IX1961 是一款由 IXYS 公司推出的高速 MOSFET 驱动器集成电路，专为驱动功率 MOSFET 和 IGBT 器件而设计。该芯片采用双电源供电架构，具有高驱动能力和出色的抗干扰性能，广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及逆变器等高频功率转换系统中。IX1961 支持高边和低边配置，适用于半桥和全桥拓扑结构，具有较高的集成度和可靠性。

参数

工作电压范围：10V 至 20V（VDD）
　　输出峰值电流：±1.5A（典型值）
　　传播延迟时间：17ns（典型值）
　　上升/下降时间：5ns / 5ns（典型值）
　　输入逻辑阈值电压：CMOS/TTL 兼容
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　封装形式：8引脚 SOIC 或 DIP

特性

IX1961 采用高压电平转换技术，能够在高边配置中有效工作，适用于高达数百伏的电源系统。其内置的欠压锁定（UVLO）功能可防止在电源电压不足时误操作，提高系统稳定性。该芯片还具备较强的抗 dv/dt 能力，能够在高电压变化率环境下保持稳定工作，避免误触发。此外，IX1961 的输入端具有施密特触发器功能，提高了抗噪声能力，确保输入信号的稳定性和准确性。
　　该驱动器采用紧凑的封装设计，便于 PCB 布局并节省空间。其推挽式输出结构可提供快速而强劲的驱动能力，有助于降低功率器件的开关损耗。IX1961 还具备良好的热稳定性，可在高温环境下持续工作，满足工业级应用需求。其设计也支持并联使用，以进一步提高输出驱动能力，适用于高功率应用场景。

应用

IX1961 主要应用于需要高速、高可靠性的功率电子系统中，如高频开关电源、DC-DC 转换器、逆变器、UPS（不间断电源）、电机控制驱动器、太阳能逆变器以及焊接设备等。由于其支持高边驱动，因此特别适合用于半桥拓扑结构中的上管驱动。在这些应用中，IX1961 能够提供快速的信号响应和稳定的驱动能力，从而提高整体系统的效率与可靠性。此外，其抗干扰能力使其在电磁环境复杂的工业场景中表现出色。