IX1560CE 时间：2025/8/28 1:41:43 阅读：8

IX1560CE是一款由IXYS公司生产的双路N沟道功率MOSFET驱动器集成电路，专为高功率、高频应用而设计。该器件适用于电源转换、电机控制、UPS系统、DC-DC转换器、逆变器等多种高电压和高电流的场合。IX1560CE采用高压浮地技术，具备高抗干扰能力和快速响应速度，能够有效驱动半桥或全桥结构中的功率MOSFET或IGBT。

参数

封装类型：16引脚SOIC
　　工作电压范围：10V至20V
　　输出电流（峰值）：±1.7A
　　高压侧浮动电压最大值：600V
　　传播延迟时间：25ns（典型值）
　　上升时间：18ns
　　下降时间：12ns
　　工作温度范围：-40°C至+125°C

特性

IX1560CE具有双通道、高低边配置的MOSFET驱动能力，内置死区时间控制以防止上下桥臂直通，提高系统安全性。该芯片采用CMOS工艺制造，具备低功耗和高抗噪声能力。其高压侧驱动器可承受高达600V的电压，适用于高压系统应用。芯片内部集成了欠压锁定（UVLO）保护功能，当电源电压低于设定阈值时自动关闭输出，防止驱动不稳定。此外，IX1560CE具有较强的抗dv/dt能力，确保在高速开关条件下仍能稳定运行。该器件的封装设计便于散热，适用于紧凑型高功率密度电源系统。
　　该驱动器还支持高频操作，适用于现代开关电源中对效率和功率密度要求较高的应用场景。其驱动能力强，可有效降低MOSFET开关损耗，提高系统整体效率。IX1560CE广泛用于工业控制、新能源汽车、太阳能逆变器、服务器电源等高端电源管理系统中。