时间：2025/8/28 0:51:46
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IX1535GE是一款由IXYS公司设计的高压、高速MOSFET驱动芯片。该器件专为驱动功率MOSFET和IGBT设计，具有高驱动能力和良好的保护功能。IX1535GE采用标准的16引脚封装，适用于多种工业和电力电子应用，如开关电源、电机驱动和逆变器系统。
工作电压范围：10V至20V
输出驱动电流：±1.5A（峰值）
传输延迟时间：110ns（典型值）
上升/下降时间：10ns（典型值）
输入阈值电压：2.0V至5.0V兼容
工作温度范围：-40°C至+125°C
IX1535GE具备高速传输特性，能够提供快速的上升和下降时间，从而减少开关损耗并提高系统的效率。其内置的欠压锁定（UVLO）功能可在电源电压不足时自动关闭输出，防止MOSFET或IGBT在非理想条件下工作。此外，该器件还具备短路保护和过热保护功能，提高了系统的稳定性和可靠性。
在封装方面，IX1535GE采用标准的16引脚DIP或SOIC封装，便于在PCB上的布局和焊接。其宽广的工作温度范围使其能够在恶劣的工业环境中稳定运行。IX1535GE的输入兼容CMOS和LSTTL电平，方便与各种控制器或微处理器接口连接。
该驱动芯片的输出端具有高耐压能力，能够承受高达+30V的电压，适用于高电压应用场合。此外，IX1535GE的内部设计采用了高抗噪技术，确保在高电磁干扰环境下依然能够稳定工作。
IX1535GE广泛应用于各种电力电子系统中，包括开关电源（SMPS）、电机驱动器、逆变器、UPS系统、光伏逆变器以及工业自动化设备。由于其高驱动能力和可靠的保护机制，该芯片在需要高效、高可靠性的设计中尤为受欢迎。
IX1535GHE, IX1535CE, IR2113, TC4420
