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IX1535GE 发布时间 时间:2025/8/28 0:51:46 查看 阅读:12

IX1535GE是一款由IXYS公司设计的高压、高速MOSFET驱动芯片。该器件专为驱动功率MOSFET和IGBT设计,具有高驱动能力和良好的保护功能。IX1535GE采用标准的16引脚封装,适用于多种工业和电力电子应用,如开关电源、电机驱动和逆变器系统。

参数

工作电压范围:10V至20V
  输出驱动电流:±1.5A(峰值)
  传输延迟时间:110ns(典型值)
  上升/下降时间:10ns(典型值)
  输入阈值电压:2.0V至5.0V兼容
  工作温度范围:-40°C至+125°C

特性

IX1535GE具备高速传输特性,能够提供快速的上升和下降时间,从而减少开关损耗并提高系统的效率。其内置的欠压锁定(UVLO)功能可在电源电压不足时自动关闭输出,防止MOSFET或IGBT在非理想条件下工作。此外,该器件还具备短路保护和过热保护功能,提高了系统的稳定性和可靠性。
  在封装方面,IX1535GE采用标准的16引脚DIP或SOIC封装,便于在PCB上的布局和焊接。其宽广的工作温度范围使其能够在恶劣的工业环境中稳定运行。IX1535GE的输入兼容CMOS和LSTTL电平,方便与各种控制器或微处理器接口连接。
  该驱动芯片的输出端具有高耐压能力,能够承受高达+30V的电压,适用于高电压应用场合。此外,IX1535GE的内部设计采用了高抗噪技术,确保在高电磁干扰环境下依然能够稳定工作。

应用

IX1535GE广泛应用于各种电力电子系统中,包括开关电源(SMPS)、电机驱动器、逆变器、UPS系统、光伏逆变器以及工业自动化设备。由于其高驱动能力和可靠的保护机制,该芯片在需要高效、高可靠性的设计中尤为受欢迎。

替代型号

IX1535GHE, IX1535CE, IR2113, TC4420

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