时间：2025/12/28 21:03:33
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IX1463GE是一款由IXYS公司生产的高压、高速MOSFET和IGBT驱动芯片。该芯片设计用于功率电子设备中的栅极驱动应用，能够提供高效的开关控制。其主要特点是具备高输出电流能力和良好的抗干扰性能，适用于工业控制、电源转换、电机驱动等高要求的应用场景。
工作电压范围：10V至20V
输出峰值电流：±1.5A
传播延迟：约100ns
上升/下降时间：约10ns（典型值）
最大工作温度范围：-40°C至+125°C
封装形式：16引脚SOIC或DIP封装
隔离电压：高达5000V（根据封装不同）
输入逻辑阈值：兼容CMOS/TTL电平
IX1463GE采用先进的高压集成电路（HVIC）技术，具备出色的抗dv/dt能力，可在恶劣的电气环境中稳定工作。其内部集成有高侧和低侧驱动器，适用于半桥或全桥拓扑结构的功率转换器。芯片还内置了欠压锁定（UVLO）保护功能，当供电电压低于安全阈值时，自动关闭输出以防止功率器件误动作。此外，IX1463GE具有较强的抗干扰能力，能够在高频开关条件下保持信号的完整性，从而提高系统的可靠性和效率。该器件还支持宽范围的电源电压输入，使其适用于多种电源系统设计。
IX1463GE广泛应用于各种功率电子系统中，如交流-直流（AC-DC）和直流-直流（DC-DC）转换器、无刷直流电机驱动器、变频器、逆变器以及工业自动化控制系统。此外，它也适用于需要高效能、高稳定性的电源管理方案，例如太阳能逆变器、电动汽车充电设备和电焊机等。
IX1463NE, IR2110, TC4420, HIP4081
