类型：双极型晶体管阵列（双 NPN）
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：30V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大功耗：300mW（DIP 封装）
　　电流增益（hFE）：110（最小值，@ IC = 2mA, VCE = 5V）
　　频率响应：100MHz（典型值）
　　封装类型：8 引脚 DIP 或 SOIC

IX1032CE 内部集成了两个完全独立的 NPN 晶体管，它们之间具有良好的匹配性和隔离性。这种集成方式有助于减少 PCB 板上的元件数量，提高系统的可靠性并节省空间。每个晶体管都具有 30V 的集电极-发射极击穿电压，能够承受一定的负载能力，适合中低功率应用。其 hFE（电流增益）在典型工作条件下最低为 110，保证了良好的放大性能。此外，该器件的工作频率可达 100MHz，适用于中高频的开关和放大电路。
　　该芯片采用了高稳定性的硅外延工艺制造，具有良好的温度稳定性和长期可靠性。它的工作温度范围通常为 -55°C 至 +150°C，适合在各种环境条件下使用。IX1032CE 的封装形式包括常见的 8 引脚 DIP 和 SOIC，适用于自动插件和表面贴装工艺，方便大批量生产和使用。
　　由于其双晶体管集成结构，IX1032CE 在设计中可以用于构建差分放大器、达林顿对管配置、缓冲器、电平转换电路等多种功能模块。其低功耗和高频率响应特性也使其在数字电路和模拟电路中均有广泛应用。

IX1032CE 主要用于需要多个晶体管的电路设计中，例如音频放大器的前置放大级、数字逻辑电路中的电平转换、传感器信号调理电路、电机驱动控制电路以及 LED 显示驱动等。由于其良好的频率响应和电流增益，也适用于射频（RF）前端电路、数据通信接口和嵌入式系统中的信号处理模块。

TLC272, LM358, LMV358