IW1699-02 时间：2025/4/29 13:19:41 阅读：4

IW1699-02 是一款由 Innoscience（英诺赛科）设计的高性能氮化镓（GaN）功率晶体管，采用增强型场效应晶体管（e-mode GaN FET）技术。该器件具有高开关速度、低导通电阻和出色的热性能，适用于高频、高效能的电源转换应用。IW1699-02 工作电压为 650V，可满足快充适配器、数据中心电源、工业电源等领域的严格要求。
　　该器件基于 GaN 材料的独特优势，在效率和尺寸优化方面表现出色，同时简化了电路设计流程。

参数

类型：增强型场效应晶体管
　　工作电压：650V
　　导通电阻：150mΩ
　　封装形式：DFN8x8
　　最大漏极电流：12A
　　栅极驱动电压：4.5V~6V
　　反向恢复电荷：无（零反向恢复特性）
　　工作温度范围：-55℃ 至 +150℃

特性

IW1699-02 的主要特点是其基于氮化镓材料的卓越性能，具体如下：
　　1. 高开关频率：得益于 GaN 的高速特性，支持高达数 MHz 的开关频率，从而减小无源元件的体积。
　　2. 低导通电阻：仅为 150mΩ，有助于降低导通损耗并提升系统效率。
　　3. 零反向恢复：与传统硅基 MOSFET 不同，IW1699-02 没有体二极管反向恢复问题，减少开关损耗。
　　4. 热性能优异：具备更高的功率密度和更高效的散热能力，适合紧凑型设计。
　　5. 易于驱动：兼容标准逻辑电平，简化了栅极驱动设计。

应用

IW1699-02 广泛应用于需要高效能和高频率的场景中，包括但不限于以下领域：
　　1. USB PD 快速充电器：支持大功率输出和小型化设计。
　　2. 数据中心电源：提供高效率 AC-DC 和 DC-DC 转换。
　　3. 开关电源（SMPS）：用于各种工业及消费类电子设备。
　　4. 无线充电设备：提高能量传输效率。
　　5. LED 驱动器：实现精确电流控制和高亮度输出。