IU091F3-Z是一款由IXYS公司生产的功率MOSFET,广泛应用于高功率开关和电源转换设备中。这款MOSFET采用先进的制造工艺,具有优异的导通和开关性能,能够在高电压和高电流条件下稳定工作。该器件封装在高性能的TO-247封装中,提供了良好的散热性能和机械稳定性。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):900V
漏极电流(Id):3A
导通电阻(Rds(on)):2.2Ω(最大)
栅极电压(Vgs):±30V
工作温度范围:-55°C至175°C
封装类型:TO-247
功率耗散(Pd):125W
IU091F3-Z具有多项卓越特性,使其在各种高功率应用中表现出色。首先,其高耐压能力(900V)使得该器件适用于需要高电压隔离的场合,如高压电源和电机驱动。其次,低导通电阻确保了在高电流条件下,MOSFET的功率损耗最小化,从而提高了整体系统效率。
此外,该器件具有快速开关特性,能够在高频条件下工作,减少开关损耗并提高系统的响应速度。这对于需要快速切换的电源转换器和逆变器尤为重要。
TO-247封装不仅提供了良好的散热性能,还增强了机械强度,确保器件在严苛环境下稳定运行。该封装形式也便于安装和散热器连接,提升了整体系统的可靠性。
最后,该MOSFET的栅极电压范围较宽(±30V),提供了更好的控制灵活性,并减少了栅极驱动电路的设计难度。
IU091F3-Z广泛应用于多个高功率电子系统中,如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机控制器、逆变器和工业自动化设备。其高耐压和低导通电阻特性使其成为高压电源和功率因数校正(PFC)电路的理想选择。此外,该器件也适用于家用电器中的功率控制模块,如空调、洗衣机和电热水器等。在新能源领域,它还可用于太阳能逆变器和储能系统的功率转换模块。
IXFH9N90Q, IXTP9P90P, FCP9N90