时间：2025/8/5 18:25:20
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ITXH25N50A是一款由Infineon Technologies生产的N沟道功率MOSFET晶体管，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制和各种高功率电子系统中。该器件采用先进的沟槽技术，提供较低的导通电阻和优异的开关性能，同时具备良好的热稳定性和可靠性。ITXH25N50A封装形式为TO-247，适合高电流和高电压的应用场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：500V
最大漏极电流（Id）：25A（在Tc=25°C时）
导通电阻（Rds(on)）：0.21Ω（最大值，典型值0.18Ω）
栅极阈值电压（Vgs(th)）：2V至4V（在Id=250μA时）
最大功耗（Ptot）：62W
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：TO-247
漏极-源极击穿电压（BVDSS）：500V
栅极电荷（Qg）：35nC（典型值）
输入电容（Ciss）：980pF（典型值）
ITXH25N50A具有多个关键特性，使其适用于高效率功率转换应用。首先，其低导通电阻（Rds(on)）有助于降低导通损耗，提高整体系统效率。其次，该器件采用了Infineon的沟槽MOSFET技术，优化了开关性能，减少了开关损耗，从而支持高频操作。此外，该MOSFET具备良好的热性能，能够在高温环境下稳定运行，并具有较高的耐用性和可靠性。内置的体二极管可提供反向电流保护，适用于需要快速恢复的电路设计。ITXH25N50A还具有较强的雪崩能量承受能力，提升了器件在高压瞬态条件下的稳定性。
ITXH25N50A广泛用于多种高功率和高电压的电子系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、UPS（不间断电源）、电机驱动器、逆变器、工业自动化设备以及新能源系统（如太阳能逆变器和电动汽车充电器）。由于其优异的导通和开关性能，该MOSFET非常适合用于需要高效率和紧凑设计的电源管理方案。
IPW65R045CFD7, STF25N50M, FQA28N50, TK25A50D
