ITXH10N90 时间：2025/8/5 13:55:41 阅读：21

ITXH10N90是一种N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由Infineon Technologies（英飞凌科技）生产。这款器件适用于高电压、高电流应用，具备高效能和高可靠性的特点。ITXH10N90广泛应用于工业电机控制、电源转换、照明系统和汽车电子等领域。其封装形式通常为TO-220，具备良好的热管理和电气隔离性能。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏极电流（Id）：10A
　　漏-源极击穿电压（Vds）：900V
　　栅-源极电压（Vgs）：±30V
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值为0.78Ω
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-220
　　功率耗散（Ptot）：40W
　　漏极-源极饱和电流（Idsat）：10A

特性

ITXH10N90具有多个关键特性，使其适用于各种高功率应用场景。首先，其高达900V的漏-源极击穿电压（Vds）使其适用于高压电源转换和电机控制应用。其次，该MOSFET的导通电阻较低，典型值为0.78Ω，能够减少导通损耗，提高系统效率。此外，ITXH10N90具备良好的热稳定性，其TO-220封装提供了优异的散热性能，确保在高负载条件下仍能稳定运行。该器件的栅极驱动电压范围宽，可达±30V，使其兼容多种驱动电路设计。同时，其高功率耗散能力（40W）使其能够承受瞬时高功率负载，提高系统可靠性。ITXH10N90还具备快速开关特性，适用于高频开关电源和DC-DC转换器设计。

应用

ITXH10N90常用于多种高电压和高功率电子系统中。在工业自动化领域，它可用于电机驱动器和变频器的功率开关。在电源管理应用中，该MOSFET适用于开关电源（SMPS）、AC-DC和DC-DC转换器。此外，它还可用于LED照明系统的电源调节和控制。在汽车电子领域，ITXH10N90可用于车载充电系统、电机控制模块以及LED车灯驱动器。由于其高耐压和低导通电阻的特性，该器件在新能源系统（如太阳能逆变器和储能系统）中也具有广泛的应用。