时间：2025/6/21 5:00:23
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ITS711L1FUMA1 是一款高性能、低导通电阻的 N 沟道逻辑 级功率 MOSFET。该器件采用先进的制程技术制造，能够提供出色的开关性能和导通效率，适用于广泛的电源管理和电机驱动应用。
其小型化的封装形式有助于节省 PCB 空间，并且具备高可靠性与耐用性，适合在紧凑型设计中使用。
型号：ITS711L1FUMA1
类型：N 沟道 MOSFET
VDS（漏源电压）：30V
RDS(on)（导通电阻，典型值）：8.5mΩ
IDS（连续漏极电流）：64A
Qg（栅极电荷）：29nC
VGS(th)（栅极开启电压）：1.2V~2.4V
封装：LFPAK56E
工作温度范围：-55℃~175℃
ITS711L1FUMA1 的主要特点是其极低的导通电阻 (RDS(on)) 和高效率，能够在高频开关条件下保持较低的功耗。此外，该器件还具有以下特性：
1. 逻辑级栅极驱动，兼容标准逻辑电路。
2. 高电流承载能力 (64A)，满足大功率应用需求。
3. 耐热增强型封装设计，可有效提升散热性能。
4. 工作温度范围广 (-55℃ 至 +175℃)，适应各种环境条件。
5. 符合 RoHS 标准，环保无铅材料。
这些特性使得 ITS711L1FUMA1 成为高效能 DC-DC 转换器、负载开关、电机控制以及其他需要高效功率管理的应用的理想选择。
ITS711L1FUMA1 可用于以下应用领域：
1. 开关模式电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 电池管理系统 (BMS) 中的负载开关。
3. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
4. 通信设备中的信号调节和功率管理。
5. 汽车电子系统中的继电器替代和保护电路。
由于其高电流处理能力和低导通电阻，这款 MOSFET 特别适合于需要高效能和低损耗的场景。
ITS711L1FU, FDMF8701, Si7446DP
