时间：2025/4/29 17:31:54
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ITS4141N是一种高压MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于开关电源、电机驱动和功率转换等应用。该器件采用N沟道技术，具有低导通电阻和高效率的特点。
ITS4141N的封装形式为TO-220，能够承受较高的电压和电流，同时具备良好的散热性能，使其在高功率应用场景中表现优异。
最大漏源电压：600V
最大栅源电压：±20V
持续漏极电流：3.8A
导通电阻：1.7Ω
总功耗：125W
工作温度范围：-55℃ to 175℃
ITS4141N的主要特性包括：
1. 高电压耐受能力，适合在高电压环境下运行。
2. 低导通电阻，有助于降低功率损耗，提高系统效率。
3. 快速开关速度，减少开关损耗，提升动态性能。
4. 良好的热稳定性，能够在宽温度范围内保持稳定的工作状态。
5. 封装形式便于散热管理，适用于大功率电路设计。
6. 符合RoHS标准，环保无铅材料制造。
ITS4141N广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
2. 电机驱动电路中的功率控制。
3. 功率因数校正（PFC）电路。
4. 直流-直流转换器中的主开关。
5. 各类工业设备和消费电子产品的高功率模块。
6. 其他需要高电压和高效率功率开关的应用场景。
IRF840, STP45NF06, FQP17N20
