时间：2025/4/29 15:31:50
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ITS4140N是一种高性能的N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电路等领域。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关特性，能够有效降低功率损耗并提高系统效率。
ITS4140N的设计注重在高频开关应用中的表现，适用于多种电子设备中的负载切换和DC-DC转换器场景。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：23A
导通电阻：4.0mΩ
栅极电荷：79nC
开关时间：t_on=18ns, t_off=36ns
工作结温范围：-55℃至150℃
ITS4140N具备以下主要特性：
1. 极低的导通电阻，可显著减少传导损耗。
2. 快速开关速度，适合高频应用。
3. 较低的栅极电荷和输出电容，提高了整体效率。
4. 高雪崩能量能力，增强了器件的鲁棒性。
5. 符合RoHS标准，环保且满足现代工业要求。
6. 小型封装选项，便于PCB布局设计。
ITS4140N适用于各种电力电子应用，包括但不限于：
1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流。
2. DC-DC转换器的主开关或同步整流元件。
3. 电池保护电路中的负载开关。
4. 电机驱动中的功率级控制。
5. 各种工业和消费类电子产品的负载切换。
6. 通信设备中的高效功率管理解决方案。
IRLB8748PBF, AO4404N
