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ITS4140N 发布时间 时间:2025/4/29 15:31:50 查看 阅读:5

ITS4140N是一种高性能的N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电路等领域。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和快速开关特性,能够有效降低功率损耗并提高系统效率。
  ITS4140N的设计注重在高频开关应用中的表现,适用于多种电子设备中的负载切换和DC-DC转换器场景。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:23A
  导通电阻:4.0mΩ
  栅极电荷:79nC
  开关时间:t_on=18ns, t_off=36ns
  工作结温范围:-55℃至150℃

特性

ITS4140N具备以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻,可显著减少传导损耗。
  2. 快速开关速度,适合高频应用。
  3. 较低的栅极电荷和输出电容,提高了整体效率。
  4. 高雪崩能量能力,增强了器件的鲁棒性。
  5. 符合RoHS标准,环保且满足现代工业要求。
  6. 小型封装选项,便于PCB布局设计。

应用

ITS4140N适用于各种电力电子应用,包括但不限于:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流。
  2. DC-DC转换器的主开关或同步整流元件。
  3. 电池保护电路中的负载开关。
  4. 电机驱动中的功率级控制。
  5. 各种工业和消费类电子产品的负载切换。
  6. 通信设备中的高效功率管理解决方案。

替代型号

IRLB8748PBF, AO4404N

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ITS4140N参数

  • 数据列表ITS4140N
  • 标准包装4,000
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 内部开关
  • 系列-
  • 类型高端
  • 输入类型非反相
  • 输出数1
  • 导通状态电阻1 欧姆
  • 电流 - 输出 / 通道200mA
  • 电流 - 峰值输出900mA
  • 电源电压4.9 V ~ 60 V
  • 工作温度-30°C ~ 85°C
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-261-4,TO-261AA
  • 供应商设备封装PG-SOT223-4
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称ITS4140N-NDITS4140NTRSP000240073