ITS4140N是一种高性能的N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电路等领域。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和快速开关特性,能够有效降低功率损耗并提高系统效率。
ITS4140N的设计注重在高频开关应用中的表现,适用于多种电子设备中的负载切换和DC-DC转换器场景。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:23A
导通电阻:4.0mΩ
栅极电荷:79nC
开关时间:t_on=18ns, t_off=36ns
工作结温范围:-55℃至150℃
ITS4140N具备以下主要特性:
1. 极低的导通电阻,可显著减少传导损耗。
2. 快速开关速度,适合高频应用。
3. 较低的栅极电荷和输出电容,提高了整体效率。
4. 高雪崩能量能力,增强了器件的鲁棒性。
5. 符合RoHS标准,环保且满足现代工业要求。
6. 小型封装选项,便于PCB布局设计。
ITS4140N适用于各种电力电子应用,包括但不限于:
1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流。
2. DC-DC转换器的主开关或同步整流元件。
3. 电池保护电路中的负载开关。
4. 电机驱动中的功率级控制。
5. 各种工业和消费类电子产品的负载切换。
6. 通信设备中的高效功率管理解决方案。
IRLB8748PBF, AO4404N