时间：2025/8/1 16:19:35
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ITD07N65R 是一款由 Infineon Technologies（英飞凌）推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于高功率电子设备中。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）和高耐压能力，适用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电动工具和照明设备等场景。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：650 V
栅源电压（Vgs）：±20 V
漏极电流（Id）@ 25°C：7 A
导通电阻（Rds(on)）：最大 1.25 Ω @ Vgs = 10 V
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-252（DPAK）
ITD07N65R 采用了先进的沟槽技术，具有较低的导通电阻和较高的效率，从而降低了功率损耗并提高了系统性能。
该器件具有出色的热稳定性和可靠性，适用于在高温环境下运行的应用场景。
其封装设计（TO-252）提供了良好的散热能力，确保了在高功率操作时的稳定性能。
此外，ITD07N65R 还具备良好的抗雪崩能力和过载保护特性，适用于要求高稳定性的工业级应用。
由于其快速开关特性，该 MOSFET 在高频开关应用中表现优异，能够有效减少开关损耗，提高整体系统效率。
该器件还具备良好的抗静电能力和栅极氧化层稳定性，有助于提升长期使用的可靠性。
ITD07N65R 主要应用于各类高功率电子系统，包括开关电源、AC-DC 和 DC-DC 转换器、电动工具、工业电机驱动器以及 LED 照明电源等。
它也适用于家用电器中的电源模块和工业自动化控制电路中的功率开关部分。
此外，该 MOSFET 可用于电池充电器、逆变器和不间断电源（UPS）等电力电子设备中，确保系统的高效运行和长期稳定性。
其低导通电阻和高耐压特性使其在新能源汽车和储能系统中的功率转换模块中也有广泛应用。
IPD07N65C3, STF7N65M5, FQP7N65
