时间：2025/7/28 12:28:18
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ITC135P是一种P沟道增强型功率MOSFET，通常用于高边开关、电源管理和负载切换等应用。该器件由国际整流器公司（International Rectifier，简称IR）生产，具有低导通电阻、高耐压和高电流容量的特点。ITC135P采用TO-220封装，适合于各种电源转换和控制电路。
类型：P沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：-10A
最大漏源电压（VDS）：-100V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：≤0.22Ω（典型值）
功率耗散（PD）：40W
工作温度范围：-55°C 至 175°C
ITC135P的主要特性包括高耐压能力和较大的电流承载能力，使其适用于多种电源管理和功率控制应用。其P沟道结构使得该MOSFET在高边开关电路中使用方便，无需额外的电荷泵电路。此外，该器件的导通电阻较低，有助于减少导通损耗，提高系统的整体效率。ITC135P还具有良好的热稳定性和可靠性，适用于工业和汽车电子等严苛环境下的应用。
该MOSFET的TO-220封装形式便于安装和散热管理，适合于PCB设计和大功率应用。其栅极驱动电压范围较宽，通常可在-10V至-20V之间工作，提供灵活的控制方式。此外，该器件的开关速度较快，能够满足高频开关应用的需求，从而减小外围电路的体积和成本。
ITC135P广泛应用于各种电源管理系统，如DC-DC转换器、电池管理系统、电机驱动电路以及负载开关等。在汽车电子领域，该器件可用于车载电源管理、灯光控制系统和电动助力转向系统等。此外，ITC135P还可用于工业自动化设备、不间断电源（UPS）和通信电源等应用中，提供高效可靠的功率控制方案。
IRF9540N, FQP10P10, Si9435BDY
